[發明專利]一種電平轉換電路以及芯片系統

有效

• 申請號: 201711074626.7
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN109756222B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 索超
• 申請（專利權）人: 展訊通信（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請實施例公開了一種電平轉換電路，包括：四個N型金屬氧化物半導體NMOS管，兩個P型金屬氧化物半導體PMOS管以及至少兩個反相器，第一NMOS管與第二NMOS管的源極都與電源負極或地線連接，第一NMOS管漏極與第三NMOS管柵極連接，第一NMOS管柵極與第三NMOS管源極連接；第二NMOS管柵極與第四NMOS管源極連接，第二NMOS管漏極與第四NMOS管柵極連接；第一PMOS管與第二PMOS管的源極都與第一電源，即輸出目標高電平的電源連接，第一PMOS管柵極與第四NMOS管柵極連接，第一PMOS管漏極與第三NMOS管漏極連接；第二PMOS管的柵極與第三NMOS管的柵極連接，第二PMOS管漏極與第四NMOS管的漏極連接；第一反相器輸入端與第二NMOS管漏極連接，第一反相器輸出目標輸出信號，該目標輸出信號的高電平為目標高電平。

技術領域

本申請涉及電路領域，特別涉及一種電平轉換電路以及芯片系統。

背景技術

在電子設備內中的各種電路，例如芯片電路中，時常用到不同的電壓域，信號電壓也隨著電壓域的不同需要轉換為適應的電壓，以進行信號或數據的傳輸。在電壓轉換中，通常需要用到由低壓轉高壓的電平轉換電路，即將輸入信號的高電平轉換為目標高電平輸出。

現有方案提供兩種不同的由低壓轉高壓的電平轉換電路，現有方案一包括兩個N型金屬氧化物半導體(negative channel metal oxidesemiconductor，NMOS)管、以及兩個P型金屬氧化物半導體(positive channelmetal oxide semiconductor，PMOS)管以及反相器，其中，兩個NMOS管的源極與地線連接，漏極除了分別與PMOS管的漏極連接，同時還分別與相對的PMOS管的柵極連接，兩個PMOS管的源極與電壓為目標高電平的電源連接，將輸入的高電平轉換為目標高電平。現有方案二包括，兩個NMOS管、四個PMOS管以及反相器，其中，兩個NMOS管的源極與地線連接，漏極與柵極除了分別與其中兩個PMOS管的漏極與柵極連接，該兩個NMOS管的漏極還分別與該四個PMOS管中除該其中兩個PMOS管外的其他兩個PMOS管連接，該其他兩個PMOS管的源極與電壓為目標高電平的電源連接，將輸入信號的高電平轉換為目標高電平。

占空比是指在一個脈沖循環內，通電時間占一個脈沖周期總時間所占的比例。但在現有技術中，目標輸出信號的占空比失真嚴重，若輸入信號的占空比為50％，目標輸出信號的占空比與50％相差較大，例如，目標輸出信號的占空比將達到60％或65％等，無法滿足對50％占空比的需求。

發明內容

本申請實施例提供了一種電平轉換電路以及芯片系統，用于對輸入信號進行電平轉換，將輸入信號的高電平轉換為目標高電平并輸出，且目標輸出信號的占空比更接近輸入信號的占空比。

本申請第一方面提供一種電平轉換電路，可以包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第一PMOS管，第二PMOS管，第一反相器，以及第二反相器，其中：

所述第一NMOS管與所述第二NMOS管的源極都與電源負極或地線連接，所述第一NMOS管的漏極與所述第三NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的源極或漏極中的任意一個連接；

所述第二NMOS管的柵極與所述第四NMOS管的源極或漏極中的任意一個連接，所述第二NMOS管的漏極與所述第四NMOS管的柵極連接；

所述第一PMOS管與第二PMOS管的源極與第一電源連接，所述第一電源的輸出為目標高電平，所述第一PMOS管的柵極與所述第四NMOS管的柵極連接，當所述第一NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的源極連接，則所述第一PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的漏極連接，當所述第一NMOS管的柵極與所述第三NMOS管的漏極連接，則所述第一PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接；