[發明專利]攝像器件和電子設備有效
| 申請號: | 201711072825.4 | 申請日: | 2014-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN107706202B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發明(設計)人: | 松本靜德 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/378;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 器件 電子設備 | ||
本技術涉及攝像器件和含有該攝像器件的電子設備,它們包括:按行和列布置著的包含第一至第八像素的多個像素,第一、第二像素被連接至第i列信號線,第三、第四像素被連接至第i+1列信號線,第五、第六像素被連接至第i+2列信號線,且第七、第八像素被連接至第i+3列信號線;分別連接至第i至第i+3列信號線的第一至第四比較器;第一晶體管,其源極和漏極中的一者被連接至第i列信號線、另一者被連接至第i+2列信號線;以及第二晶體管,其源極和漏極中的一者被連接至第i+1列信號線、另一者被連接至第i+3列信號線。第一、第五像素具有紅色濾光片,第二、第三、第六和第七像素具有綠色濾光片,且第四、第八像素具有藍色濾光片。
本申請是申請日為2014年2月17日、發明名稱為“攝像器件”、且申請號為201710135309.5的專利申請的分案申請,上述專利申請是申請日為2014年2月17日、發明名稱為“固體攝像器件、固體攝像器件驅動方法和電子設備”、且申請號為201480007095.8的專利申請的分案申請。
技術領域
本技術涉及攝像器件和電子設備,且更具體地,涉及能夠以高的準確度來抑制AD轉換時的線性(linearity)的劣化和因量子化誤差而引起的量子化豎條紋(quantizationvertical streak)的固體攝像器件、固體攝像器件驅動方法和電子設備。
背景技術
CMOS(互補金屬氧化物半導體:complementary metal oxide semiconductor)圖像傳感器能夠利用與CMOS集成電路(IC:integrated circuit)一樣的制造工藝而被制造出來、能夠被單一電源驅動、且能夠利用CMOS工藝而與模擬電路或邏輯電路一起被安裝在同一芯片內。因此,CMOS圖像傳感器具有能夠減少周邊IC的數量等方面的一些優勢。
因此,近年來,CMOS圖像傳感器作為代替CCD(電荷耦合器件:charge coupleddevice)圖像傳感器的圖像傳感器而已經引起了關注。
在CMOS圖像傳感器中,在把像素信號讀出至外部時,對布置有多個單元像素的像素陣列部執行地址控制,且任意地選擇來自各單元像素的像素信號。
而且,在CMOS圖像傳感器中,通過將坡面型AD(模擬數字:analog to digital)轉換電路布置成列從而形成的列型AD轉換電路能夠被用作對從像素陣列部讀取的模擬像素信號進行AD轉換從而使其轉換成數字信號的電路。
在這種類型的列型AD轉換電路中,當通過增加被布置于像素陣列部中的像素數量來提高處理速度或幀速率時,被用作AD轉換時的基準電壓(斜坡狀電壓)的參考信號RAMP的坡面傾斜度變得更陡峭。由于這個影響,特別是在低增益或低灰度(低位)讀取時,各列的AD轉換點集中在坡面的一點上,且因此,發生了因為電源波動的影響而造成的線性的劣化或因為由低灰度所引起的量子化誤差而造成的豎條紋。
作為用于防止這種現象的技術,本申請的申請人曾經提出了專利文獻1中的技術。
專利文獻1披露了如下的技術:通過在垂直信號線的復位讀取時增大像素的復位脈沖的脈沖寬度或調節比較器的復位脈沖的脈沖寬度,且在用于對模擬像素信號與參考信號RAMP進行比較的比較器的輸入電容的建立時期(settling period of time)的途中執行信號采樣,由此嵌入噪聲。
因為能夠通過使用這種技術進行驅動而使復位電平分布擴展開,所以可以通過使列型AD轉換電路的操作時期發生改變來防止能量的集中且抑制因量子化誤差而引起的量子化豎條紋。
引用文獻列表
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開JP 2009-38834A
發明內容
要解決的技術問題
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





