[發(fā)明專利]攝像器件和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711072825.4 | 申請日: | 2014-02-17 |
| 公開(公告)號: | CN107706202B | 公開(公告)日: | 2019-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松本靜德 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/357;H04N5/378;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像 器件 電子設(shè)備 | ||
1.一種攝像器件,其包括:
按行和列的形式布置著的多個像素,所述多個像素包括第一像素、第二像素、第三像素、第四像素、第五像素、第六像素、第七像素和第八像素,所述第一像素和所述第二像素被連接至第i列信號線,所述第三像素和所述第四像素被連接至第i+1列信號線,所述第五像素和所述第六像素被連接至第i+2列信號線,且所述第七像素和所述第八像素被連接至第i+3列信號線;
第一比較器,所述第一比較器被連接至所述第i列信號線;
第二比較器,所述第二比較器被連接至所述第i+1列信號線;
第三比較器,所述第三比較器被連接至所述第i+2列信號線;
第四比較器,所述第四比較器被連接至所述第i+3列信號線;
第一晶體管,所述第一晶體管的源極和漏極中的一者被連接至所述第i列信號線,且所述第一晶體管的所述源極和所述漏極中的另一者被連接至所述第i+2列信號線;以及
第二晶體管,所述第二晶體管的源極和漏極中的一者被連接至所述第i+1列信號線,且所述第二晶體管的所述源極和所述漏極中的另一者被連接至所述第i+3列信號線,
其中,所述第一像素和所述第五像素各者具有紅色濾光片,所述第二像素、所述第三像素、所述第六像素和所述第七像素各者具有綠色濾光片,且所述第四像素和所述第八像素各者具有藍(lán)色濾光片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件,其中,所述第一比較器包括第一差分晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像器件,其中,所述第二比較器包括第二差分晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像器件,其中,所述第三比較器包括第三差分晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的攝像器件,其中,所述第四比較器包括第四差分晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的攝像器件,其中,所述第一比較器包括第一復(fù)位晶體管,所述第一復(fù)位晶體管的源極和漏極中的一者被連接至所述第一差分晶體管的漏極和源極中的一者,且所述第一復(fù)位晶體管的所述源極和所述漏極中的另一者被連接至所述第一差分晶體管的所述漏極和所述源極中的另一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的攝像器件,其中,所述第一復(fù)位晶體管的柵極被配置成接收第一控制信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的攝像器件,其中,所述第一晶體管的柵極被配置成接收第二控制信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的攝像器件,其中,所述第一晶體管被配置成:在所述第一復(fù)位晶體管處于接通狀態(tài)的同時,所述第一晶體管處于接通狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的攝像器件,其中,所述第三比較器包括第二復(fù)位晶體管,所述第二復(fù)位晶體管的源極和漏極中的一者被連接至所述第三差分晶體管的漏極和源極中的一者,且所述第二復(fù)位晶體管的所述源極和所述漏極中的另一者被連接至所述第三差分晶體管的所述漏極和所述源極中的另一者。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像器件,其中,所述第二復(fù)位晶體管的柵極被配置成接收第三控制信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的攝像器件,其中,所述第一晶體管被配置成:在所述第二復(fù)位晶體管處于接通狀態(tài)的同時,所述第一晶體管處于接通狀態(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像器件,其還包括:
第一參考信號生成電路,它被配置成輸出第一參考信號;和
第二參考信號生成電路,它被配置成輸出第二參考信號。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的攝像器件,其中,所述第一參考信號不同于所述第二參考信號。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





