[發(fā)明專利]個性化MCU個性化存儲區(qū)的測試方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711072315.7
• 申請日: 2017-11-04
• 公開（公告）號: CN107910036A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧俊萍;顏河;張楠
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司;北京中電華大電子設(shè)計有限責(zé)任公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域:

一種用于測試帶個性化存儲區(qū)MCU的個性化存儲區(qū)的測試方法。它屬于測試技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

現(xiàn)階段針對個性化MCU個性化存儲區(qū)的測試方法，一般采用默認該存儲區(qū)功能沒有問題，把trim值寫入該存儲區(qū)。后續(xù)通過使能這些trim值，測試被trim模塊功能的方式，來保證trim值正確。此種測試方法，不能區(qū)分被trim模塊功能失效是有模塊本身引起還是存儲區(qū)自身問題引起。同時，因為個性化存儲區(qū)沒有做過詳細篩選，后續(xù)使用的可靠性亦不能得到保證。

基于此，該發(fā)明介紹了一種用于測試個性化MCU個性化存儲區(qū)的測試方法：在trim完成后，把trim值讀取到trim寄存器中，此后對個性化存儲區(qū)進行詳細篩選；篩選完成后，讀取Trim寄存器復(fù)寫個性化存儲區(qū)。通過此方法既可保證個性化存儲區(qū)的測試覆蓋率，又保證trim數(shù)據(jù)不丟失。

本發(fā)明文主要闡述介紹了一種用于測試個性化MCU個性化存儲區(qū)的測試方法，與傳統(tǒng)測試方法相比，既可保證個性化存儲區(qū)的測試覆蓋率，又保證trim數(shù)據(jù)不丟失。

發(fā)明內(nèi)容:

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種個性化MCU個性化存儲區(qū)的測試方法，能夠保證個性化存儲區(qū)被覆蓋并節(jié)省測試時間。本發(fā)明主要包括以下步驟：

1)第一次上電，完成所有需要做trim的IP的trim操作，把trim值記錄到個性化存儲單元中去；

2)第二次上電，此上電過程中，CPU中引導(dǎo)程序會把trim裝載到trim寄存器，同時使其生效；在完成以上操作之后，進行個性化存儲區(qū)的功能測試；該功能測試會對個性化存儲區(qū)進行擦寫，導(dǎo)致內(nèi)部所存儲的trim值丟失；

3)完成個性化存儲區(qū)測試之后，在保證不下電的情況下，通過讀trim寄存器指令把寄存器中所保存trim值讀取出來，用寫指令，復(fù)寫至個性化存儲區(qū)。

4)通過讀取trim寄存器來復(fù)寫個性化存儲區(qū)來保證trim數(shù)據(jù)不丟失；

芯片上電后，把trim數(shù)據(jù)能夠自動裝載到trim寄存器。測試過程中芯片不下電，以此保

證寄存器內(nèi)數(shù)據(jù)不丟失。完成個性化存儲區(qū)測試之后，把trim數(shù)據(jù)復(fù)寫進個性化存儲區(qū)。

采用本發(fā)明的方法，可在保證trim數(shù)據(jù)完整性的情況下，保證個性化存儲區(qū)的測試覆蓋率，以保證芯片后續(xù)使用可靠性。

附圖說明：

圖1、trim流程圖

圖2、測試&復(fù)寫流程圖

具體實施方式：

下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

芯片上電后，因工藝差異，所選電源IP不能保證存儲單元及其他模塊正常工作，需預(yù)先進行trim操作；同時，存儲區(qū)IP亦需完成不同廠商要求的trim操作；以上trim操作生成的trim值存儲在個性化存儲區(qū)。

結(jié)合附圖1所示，所述個性化MCU上電trim過程如下：

步驟一，上電，判斷trim值所在個性化存儲區(qū)數(shù)據(jù)有效性。此時該區(qū)無數(shù)據(jù)，故裝載設(shè)計默認值。

步驟二，根據(jù)設(shè)計要求，進行各IP的trim。

步驟三，進行存儲區(qū)trim。

步驟四，把上述trim值寫入個性化存儲區(qū)。

步驟五，下電。

大部分公司在完成trim測試并寫入后，不再針對個性化存儲區(qū)進行功能篩選。但此區(qū)域存儲數(shù)據(jù)對芯片使用至關(guān)重要，后期使用過程中丟失則會直接造成芯片失效。故采用該方法，實現(xiàn)個性化存儲區(qū)的篩選，保證后續(xù)使用中的可靠性。

結(jié)合附圖2所示，測試&復(fù)寫流程如下：

步驟一，上電，判斷trim值所在個性化存儲區(qū)數(shù)據(jù)有效性。

步驟二，此時該區(qū)數(shù)據(jù)有效，裝載到trim寄存器。

步驟三，進行個性化存儲區(qū)功能測試，包括擦寫測試等。

步驟四，讀取寄存器中trim值，復(fù)寫進個性化存儲區(qū)。

步驟五，下電。