[發(fā)明專利]個(gè)性化MCU個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)的測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711072315.7
• 申請(qǐng)日: 2017-11-04
• 公開（公告）號(hào): CN107910036A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄧俊萍;顏河;張楠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹集成電路有限責(zé)任公司;北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G11C29/56
• 分類號(hào): G11C29/56
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.個(gè)性化MCU個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)的測(cè)試方法，其特征在于包括以下步驟：

1)第一次上電，完成所有需要做trim的IP的trim操作，把trim值記錄到個(gè)性化存儲(chǔ)單元中去；

2)第二次上電，此上電過程中，CPU中引導(dǎo)程序會(huì)把trim裝載到trim寄存器，同時(shí)使其生效；在完成以上操作之后，進(jìn)行個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)的功能測(cè)試；該功能測(cè)試會(huì)對(duì)個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行擦寫，導(dǎo)致內(nèi)部所存儲(chǔ)的trim值丟失；

3)完成個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)測(cè)試之后，在保證不下電的情況下，通過讀trim寄存器指令把寄存器中所保存trim值讀取出來，用寫指令，復(fù)寫至個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)。

4)通過讀取trim寄存器來復(fù)寫個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)來保證trim數(shù)據(jù)不丟失。

2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述步驟2)第二次上電后，把trim數(shù)據(jù)是自動(dòng)裝載到trim寄存器。

3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述的各步驟測(cè)試過程中芯片不下電，以此保證寄存器內(nèi)數(shù)據(jù)不丟失。

4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試方法，其特征在于，所述步驟3)完成個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)測(cè)試之后，把trim數(shù)據(jù)復(fù)寫進(jìn)個(gè)性化存儲(chǔ)區(qū)。