[發(fā)明專(zhuān)利]一種LTCC基板雙面空腔制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711069032.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107863300B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高亮;何中偉;賀彪;展丙章 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北方電子研究院安徽有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英;董建林 |
| 地址: | 233040*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ltcc 雙面 空腔 制作方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種LTCC基板雙面空腔制作方法,制作道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞;將各個(gè)道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞分別使用聚乙烯膜包裹;在制作LTCC基板的疊片工序時(shí),在疊片形成的各個(gè)空腔中放入對(duì)應(yīng)的道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞,層壓后再拽拉出各個(gè)生瓷坯填充塞和道康寧硅膠塞。本發(fā)明的方法解決了復(fù)雜的LTCC基板雙面空腔加工的問(wèn)題,節(jié)約成本,工藝簡(jiǎn)單,易加工。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種LTCC基板雙面空腔制作方法。
背景技術(shù)
帶空腔的多層互連LTCC基板是3D-MCM(三維多芯片組件)、SIP(系統(tǒng)級(jí)封裝)、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))器件、T/R(發(fā)射/接收)組件等高性能高密度集成產(chǎn)品的重要構(gòu)件,它不但使產(chǎn)品的組裝封裝密度更高,也使產(chǎn)品功能更多、傳輸速度更快、功耗更低、性能及可靠性更好,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛。LTCC基板的層數(shù)越多、空腔種類(lèi)越多,則用之于三維高密度集成的自由度越大,應(yīng)用前景更好。
LTCC臺(tái)階空腔的一大應(yīng)用是用來(lái)做芯片粘片鍵合,廣泛應(yīng)用于高頻電路設(shè)計(jì)中。為了減小或降低芯片鍵合時(shí),金絲過(guò)長(zhǎng)帶來(lái)的附加寄生效應(yīng)影響LTCC電路的性能,需要在LTCC基板中設(shè)計(jì)空腔,設(shè)計(jì)空腔的目的是實(shí)現(xiàn)芯片與金絲鍵合面等高,從而減小金絲的長(zhǎng)度,降低金絲的弧度。有時(shí)候?yàn)榱朔乐剐酒g出現(xiàn)串?dāng)_,需要將敏感芯片組裝在LTCC基板的一面,大功率的芯片組裝在LTCC基板的另一面,這就需要在LTCC基板的正反面都需要加工出空腔,大大增加了LTCC基板制作的難度。
現(xiàn)有的LTCC基板單面空腔加工方法主要有兩種。第一種是使用金屬模具制作膠模,然后在LTCC生瓷坯層壓時(shí),將膠模填充在空腔內(nèi)一起層壓限制空腔變形,層壓后取出。該方法可以制作LTCC基板正面空腔,使用該方法制作背面空腔時(shí)存在以下問(wèn)題:
1)為了約束膠模在層壓時(shí)膨脹,當(dāng)空腔位于LTCC基板正面時(shí),需要制作與空腔位置尺寸一致的不銹鋼蓋板用來(lái)約束層壓時(shí)的膨脹;當(dāng)空腔位于LTCC基板背面時(shí),則需要在疊片臺(tái)上開(kāi)出與空腔位置尺寸一致的空洞用來(lái)約束膠模層壓時(shí)在X/Y方向的膨脹。這種加工工藝復(fù)雜,針對(duì)不同空腔設(shè)計(jì),需要制作帶不同空腔的疊片臺(tái),成本高昂;
2)對(duì)于雙面空腔的LTCC基板,由于基板正面、背面空腔在位置、深度、大小等各方面不可能完全對(duì)稱(chēng),以及膠模與LTCC生瓷材料、金屬疊片臺(tái)的力學(xué)性能不可能完全相同性,當(dāng)采用這種空腔塞層壓時(shí)其對(duì)基板中部懸空的空腔底部的壓力傳遞就不可能在厚度方向上對(duì)等(抵消),勢(shì)必在層壓后造成空腔底板出現(xiàn)形變而不平整,殘余應(yīng)力較大,在共燒后形變還會(huì)更進(jìn)一步擴(kuò)大,導(dǎo)致空腔底板不平整。
另一種LTCC基板單面空腔加工方法是使用犧牲性材料(主要成分為碳粉),將犧牲性生瓷層壓后裁減成與空腔相對(duì)應(yīng)的的空腔塞子,LTCC基板疊片時(shí)將空腔塞子塞在空腔內(nèi)一起層壓限制空腔變形,空腔塞子在LTCC基板共燒時(shí)揮發(fā)。該方法可以制作LTCC基板正面空腔,使用該方法制作背面空腔時(shí)存在以下問(wèn)題:
1)犧牲層材料位于LTCC基板背面空腔中,在共燒過(guò)程中犧牲層材料揮發(fā)的氣體會(huì)導(dǎo)致LTCC基板空腔底部向上凸起;
2) 犧牲層材料不能與空氣充分接觸,導(dǎo)致其燒結(jié)不完全,會(huì)遺留一部分殘?jiān)绊懞罄m(xù)加工的可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種LTCC基板雙面空腔制作方法,解決了復(fù)雜的LTCC基板雙面空腔加工問(wèn)題,節(jié)約成本,工藝簡(jiǎn)單,易加工。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,包括以下步驟:
1)制作道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞;
2)將各個(gè)道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞分別使用聚乙烯膜包裹,并在封口表面處留出端頭;
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于北方電子研究院安徽有限公司,未經(jīng)北方電子研究院安徽有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711069032.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





