[發明專利]一種LTCC基板雙面空腔制作方法有效
| 申請號: | 201711069032.7 | 申請日: | 2017-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN107863300B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 高亮;何中偉;賀彪;展丙章 | 申請(專利權)人: | 北方電子研究院安徽有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英;董建林 |
| 地址: | 233040*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ltcc 雙面 空腔 制作方法 | ||
1.一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,包括以下步驟:
1)制作道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞;
2)將各個道康寧硅膠塞和生瓷坯填充塞分別使用聚乙烯膜包裹,并在封口表面處留出端頭;
3)在制作LTCC基板的疊片工序時,先疊加完背面的各個具有空腔的生瓷層,并在各個空腔中放入對應的生瓷坯填充塞,并使生瓷坯填充塞的封口表面朝下露出端頭;再疊加上中部的懸空空腔底板層生瓷層,最后疊加上正面的各個具有空腔的生瓷層,并在各個空腔中放入對應的道康寧硅膠塞,并使道康寧硅膠塞的封口表面朝上露出端頭;
4)采用塑料袋真空包封由疊片臺、生瓷坯填充塞、LTCC基板生瓷層、道康寧硅膠塞、疊片蓋板構成的產品與工裝組件;
5)按照制作LTCC基板層壓工藝規程,完成雙面空腔的等靜壓層壓,層壓后將產品與工裝組件解包,從聚乙烯膜端頭拽拉出各個生瓷坯填充塞和道康寧硅膠塞;
6) 按照制作LTCC基板工藝對切割完成的單元電路進行燒結。
2.根據權利要求1所述的一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,步驟6)中燒結時在LTCC基板背面空腔內墊入墊片再進行燒結。
3.根據權利要求1所述的一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,選用與制造LTCC基板相同型號的LTCC生瓷帶作為生瓷坯填充塞的制作材料。
4.根據權利要求1或3所述的一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,生瓷坯填充塞的制作步驟:
按照LTCC加工工藝規程,將與LTCC基板背面空腔生瓷層相同層數的LTCC生瓷片疊片、層壓為密實的生瓷板料;
采用LTCC切片工藝,將生瓷板料熱切為長、寬尺寸比共燒前LTCC基板背面空腔小0.05mm~0.1mm的生瓷坯塊作為生瓷坯填充塞。
5.根據權利要求1所述的一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,采用LTCC基板加工過程中產生的廢料生瓷帶作為制作生瓷坯填充塞的材料。
6.根據權利要求1所述的一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,無封口的其他面的聚乙烯膜保持平滑。
7.根據權利要求2所述的一種LTCC基板雙面空腔制作方法,其特征是,所述墊片由多孔氧化鋁材料制作。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





