[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質

在審

• 申請號: 201711067648.0
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN108074840A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 江頭佳祐;川渕洋介;五師源太郎;大野廣基;丸本洋;增住拓朗;束野憲人;北山將太郎;岡村聰
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理的基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質，在該基板處理裝置中，使過濾器的過濾性能充分發揮，降低處理后的基板的微粒水平。基板處理裝置具備：處理容器(301)；以及供給線(50)，其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源(51)和處理容器相連接。在供給線上設置有第一開閉閥(52a)，在該供給線的下游側設置有第一節流部(55a)，在處理容器內的壓力為處理流體的臨界壓力以下的期間，該第一節流部(55a)使在供給線中流動的超臨界狀態的處理流體變化為氣體狀態，在該供給線的更下游側設置有第一過濾器(57)。

技術領域

本發明涉及一種使用超臨界狀態的處理流體來將殘留于基板的表面的液體去除的技術。

背景技術

在作為基板的半導體晶圓(以下稱為晶圓)等的表面形成集成電路的層疊結構的半導體裝置的制造工序中，進行藥液清洗或濕蝕刻等液處理。近年來，作為液處理后的基板的干燥方法，一直使用利用超臨界狀態的處理流體的干燥方法(例如參照專利文獻1)。

從處理流體供給源送出超臨界狀態的處理流體，經由供給線向處理容器供給該處理流體。在供給線上設置有用于去除處理流體中包含的微粒的過濾器。然而，當實際進行處理時，經常發生如下現象：無法利用過濾器充分去除超臨界狀態的處理流體中包含的微粒，從而無法充分減少附著于處理后的基板的表面的微粒。

專利文獻1：日本特開2013-12538號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明的目的在于，提供如下一種技術：使設置于從處理流體供給源向處理容器供給處理流體的供給線的過濾器的過濾性能充分發揮，從而能夠使處理后的基板的微粒水平充分降低。

用于解決問題的方案

根據本發明的一個實施方式，提供一種基板處理裝置，使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理，該基板處理裝置具備：處理容器，其容納所述基板；供給線，其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源和所述處理容器連接；第一開閉閥，其設置于所述供給線；第一節流部，其設置于所述供給線的所述第一開閉閥的下游側，在所述處理容器內的壓力為處理流體的臨界壓力以下的期間，該第一節流部使在所述供給線中流動的超臨界狀態的處理流體變化為氣體狀態；以及第一過濾器，其設置于所述供給線的所述第一節流部的下游側。

根據本發明的其它實施方式，提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理，該基板處理裝置具備：處理容器，其容納所述基板；供給線，其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源和所述處理容器連接；第一開閉閥，其設置于所述供給線；第一節流部，其設置于所述供給線的所述第一開閉閥的下游側；第一過濾器，其設置于所述供給線的所述第一節流部的下游側；第一分支線，其在所述第一開閉閥與所述第一節流部之間的位置從所述供給線分支出來，在所述第一節流部與所述第一過濾器之間的位置與所述供給線合流；以及第二節流部，其設置于所述第一分支線。

根據本發明的另一其它實施方式，提供一種基板處理裝置，該基板處理裝置使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理，該基板處理裝置具備：處理容器，其容納所述基板；供給線，其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源和所述處理容器連接；第一開閉閥，其設置于所述供給線；第一節流部，其設置于所述供給線的所述第一開閉閥的下游側；第一過濾器，其設置于所述供給線的所述第一節流部的下游側；第一分支線，其在所述第一開閉閥與所述第一節流部之間的位置從所述供給線分支出來，在所述第一過濾器與所述處理容器之間的位置與所述供給線合流；以及第二節流部和第二過濾器，所述第二節流部和第二過濾器設置于所述第一分支線。