[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法以及存儲介質在審
| 申請號: | 201711067648.0 | 申請日: | 2017-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN108074840A | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 江頭佳祐;川渕洋介;五師源太郎;大野廣基;丸本洋;增住拓朗;束野憲人;北山將太郎;岡村聰 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 供給線 基板處理裝置 處理流體 處理容器 超臨界狀態 存儲介質 基板處理 節流 過濾器 第一過濾器 流體供給源 過濾性能 臨界壓力 臨界狀態 氣體狀態 微粒水平 對基板 開閉閥 基板 流動 | ||
1.一種基板處理裝置,使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理,該基板處理裝置具備:
處理容器,其容納所述基板;
供給線,其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源和所述處理容器連接;
第一開閉閥,其設置于所述供給線;
第一節流部,其設置于所述供給線的所述第一開閉閥的下游側,在所述處理容器內的壓力為處理流體的臨界壓力以下的期間,該第一節流部使在所述供給線中流動的超臨界狀態的處理流體變化為氣體狀態;以及
第一過濾器,其設置于所述供給線的所述第一節流部的下游側。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一節流部包括可調節流閥或具有孔徑不變的細孔的節流構件。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備分支線,該分支線在所述第一開閉閥與所述第一節流部之間的位置從所述供給線分支出來,在所述第一節流部與所述第一過濾器之間的位置與所述供給線合流,在所述分支線上設置有第二節流部。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備分支線,該分支線在所述第一開閉閥與所述第一節流部之間的位置從所述供給線分支出來,在所述第一過濾器與所述處理容器之間的位置與所述供給線合流,在所述分支線上設置有第二節流部和第二過濾器。
5.一種基板處理裝置,使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理,該基板處理裝置具備:
處理容器,其容納所述基板;
供給線,其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源和所述處理容器連接;
第一開閉閥,其設置于所述供給線;
第一節流部,其設置于所述供給線的所述第一開閉閥的下游側;
第一過濾器,其設置于所述供給線的所述第一節流部的下游側;
第一分支線,其在所述第一開閉閥與所述第一節流部之間的位置從所述供給線分支出來,在所述第一節流部與所述第一過濾器之間的位置與所述供給線合流;以及
第二節流部,其設置于所述第一分支線。
6.一種基板處理裝置,使用超臨界狀態的處理流體來對基板進行處理,該基板處理裝置具備:
處理容器,其容納所述基板;
供給線,其將送出超臨界狀態的處理流體的流體供給源和所述處理容器連接;
第一開閉閥,其設置于所述供給線;
第一節流部,其設置于所述供給線的所述第一開閉閥的下游側;
第一過濾器,其設置于所述供給線的所述第一節流部的下游側;
第一分支線,其在所述第一開閉閥與所述第一節流部之間的位置從所述供給線分支出來,在所述第一過濾器與所述處理容器之間的位置與所述供給線合流;以及
第二節流部和第二過濾器,所述第二節流部和第二過濾器設置于所述第一分支線。
7.一種基板處理方法,包括以下工序:
搬入工序,向容納基板的處理容器搬入所述基板;以及
填充工序,通過從流體供給源向所述處理容器供給處理流體,來用超臨界狀態的處理流體將容納有所述基板的所述處理容器內充滿,
其中,在所述填充工序中,在所述處理容器內的壓力為處理流體的臨界壓力以下的期間,使從所述流體供給源供給的超臨界狀態的處理流體變化為氣體狀態后通過第一過濾器向所述處理容器供給。
8.一種存儲介質,記錄有以下程序:
所述程序在被用于控制基板處理裝置的動作的計算機執行時,使所述計算機控制所述基板處理裝置來執行根據權利要求7所述的基板處理方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





