[發明專利]一種硅片RIE制絨后的處理方法在審
| 申請號： | 201711067441.3 | 申請日： | 2017-11-03 |
| 公開（公告）號： | CN107818913A | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發明（設計）人： | 劉文國;謝毅;蘇世杰;李強強;張玉前 | 申請（專利權）人： | 通威太陽能（安徽）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合眾智信知識產權事務所53113 | 代理人： | 張璽 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 rie 制絨后 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片RIE制絨后的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、浸泡清洗：將RIE制絨后的硅片浸泡在氨水池中，控制浸泡時間為20～60s；
S2、噴淋沖洗：采用氨水溶液對浸泡后的硅片進行噴淋；
S3、加熱除氨：將氨水溶液噴淋后的硅片進行加熱，控制加熱溫度為36～50℃；
S4、純水沖洗：采用去離子水對加熱后的硅片進行噴淋；
S5、表面甩干：將去離子水噴淋后的硅片放入甩干機內進行甩干。
2.根據權利要求1所述的一種硅片RIE制絨后的處理方法，其特征在于：步驟S1中，氨水池內的氨水濃度范圍為23％～28％。
3.根據權利要求1所述的一種硅片RIE制絨后的處理方法，其特征在于：步驟S2中，使用的氨水溶液的濃度范圍為10％～15％。
4.根據權利要求1所述的一種硅片RIE制絨后的處理方法，其特征在于：步驟S3中，采用烘箱對硅片進行加熱。
5.根據權利要求1所述的一種硅片RIE制絨后的處理方法，其特征在于：步驟S3中，加熱時間為3～5min。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
