[發明專利]一種硅片RIE制絨后的處理方法

在審

• 申請號: 201711067441.3
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN107818913A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 劉文國;謝毅;蘇世杰;李強強;張玉前
• 申請（專利權）人: 通威太陽能（安徽）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所53113
• 代理人: 張璽

技術領域

本發明涉及太陽能電池制造技術領域，具體為一種硅片RIE制絨后的處理方法。

背景技術

在RIE(Reactive Ion Etching，反應離子刻蝕)制絨后，硅片表面會有一部分反應殘留物剩余，這部分物質會在后續的工藝過程中造成太陽能電池的性能降低，因此有必要在RIE制絨后將這些反應殘留物去除。

目前常用的去除反應殘留物的方法是在同一個槽體內配制HF和HCL組成的混合酸溶液，為了有效控制反應速率，使得RIE制絨后的反應殘留物更容易被清洗掉，通常會添加一些額外的化學物質，例如：HNO3、CH3COOH和/或H2O2等，雖然引入了上述物質可以使清洗更加徹底，但是這些清洗用的酸性溶液仍然會對電池片造成額外的進一步制絨，從而會影響電池片的性能，導致不良片的產生。

因此，需要一種能夠有效去除RIE制絨后硅片表面反應殘留物的方法，并且不會對電池片造成二次制絨的方法，減少對電池片表面制絨效果的影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種硅片RIE制絨后的處理方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種硅片RIE制絨后的處理方法，包括以下步驟：

S1、浸泡清洗：將RIE制絨后的硅片浸泡在氨水池中，控制浸泡時間為20～60s；

S2、噴淋沖洗：采用氨水溶液對浸泡后的硅片進行噴淋；

S3、加熱除氨：將氨水溶液噴淋后的硅片進行加熱，控制加熱溫度為36～50℃；

S4、純水沖洗：采用去離子水對加熱后的硅片進行噴淋；

S5、表面甩干：將去離子水噴淋后的硅片放入甩干機內進行甩干。

優選的，步驟S1中，氨水池內的氨水濃度范圍為23％～28％。

優選的，步驟S2中，使用的氨水溶液的濃度范圍為10％～15％。

優選的，步驟S3中，采用烘箱對硅片進行加熱。

優選的，步驟S3中，加熱時間為3～5min。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明采用常用的弱堿氨水來對電池片進行清洗，首先將硅片放入氨水內進行浸泡，弱堿性的氨水不會與硅片發啊反應，但可以與硅片上殘留的酸性制絨液發生反映，生成強酸弱堿鹽，然后使用氨水對硅片進行噴淋，將硅片上生成的強酸弱堿鹽進行沖洗去除，此時使得硅片的制絨面上僅剩有氨水溶液，弱堿性的氨水溶液在溫度高于36℃時極易揮發出氨氣，所以對硅片進行加熱，使得氨水溶液在受熱后進行氨氣的揮發，最后再使用去離子水對硅片進行噴淋水洗，徹底清洗掉硅片表面的所有反應殘留物，隨后對硅片進行甩干，完成對硅片的處理。

本發明通過弱堿性的氨水對制絨后的硅片進行清洗，氨水可以與硅片表面制絨后的反應殘留物進行反應并去除，而且不會與硅片發生反應，避免了對硅片的二次制絨情況，從而不會影響電池片的性能，減少不良片的產生，非常有效，值得推廣。

附圖說明

圖1為本發明方法的系統流程框圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1，本發明提供一種技術方案：

一種硅片RIE制絨后的處理方法，包括以下步驟：

S1、浸泡清洗：將RIE制絨后的硅片浸泡在氨水池中，控制浸泡時間為20～60s；

S2、噴淋沖洗：采用氨水溶液對浸泡后的硅片進行噴淋；

S3、加熱除氨：將氨水溶液噴淋后的硅片進行加熱，控制加熱溫度為36～50℃；

S4、純水沖洗：采用去離子水對加熱后的硅片進行噴淋；

S5、表面甩干：將去離子水噴淋后的硅片放入甩干機內進行甩干。

作為一個優選，步驟S1中，氨水池內的氨水濃度范圍為23％～28％。

作為一個優選，步驟S2中，使用的氨水溶液的濃度范圍為10％～15％。

作為一個優選，步驟S3中，采用烘箱對硅片進行加熱。

作為一個優選，步驟S3中，加熱時間為3～5min。

實施例一：