[發明專利]一種智能功率MOSFET逆變模塊

有效

• 申請號: 201711064431.4
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN109756127B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 李春林;車湖深;李彥瑩
• 申請（專利權）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本發明提供一種智能功率MOSFET逆變模塊，所述MOSFET逆變模塊至少包括：印制電路板、陶瓷覆銅板、MOSFET芯片、第一連接線、第二連接線以及塑封件；所述印制電路板上設置有驅動電路和用于外接的焊盤；所述陶瓷覆銅板表面具有線路圖案；所述MOSFET芯片固定在所述陶瓷覆銅板表面，所述MOSFET芯片通過所述第一連接線與所述焊盤相連，所述MOSFET芯片通過所述第二連接線與所述線路圖案相連，所述MOSFET芯片與所述線路圖案構成三相逆變電路；所述塑封件灌封所述印制電路板、陶瓷覆銅板、MOSFET芯片、第一連接線以及第二連接線。本發明通過將MOSFET芯片與驅動電路的模塊化設計，可提高產品的集成度，減少逆變電路及其驅動電路的占用面積，提高逆變電路可靠性。

技術領域

本發明涉及小功率逆變領域，特別是涉及一種智能功率MOSFET逆變模塊。

背景技術

逆變器(Inverter)就是一種將低壓(12或24伏或48伏)直流電轉變為220伏交流電的電子設備。所謂整流就是將交流電通過轉化變為直流電，供直流用電設備使用，與之對應的，逆變就是將直流電轉化為交流電，供交流用電設備使用。通常將具有整流功能的設備叫做整流設備或者整流器，而將具有逆變功能的設備稱為逆變設備或者逆變器。

逆變技術是建立在電子技術、現代控制技術、半導體器件技術、現代電力電子技術和脈寬調制(PWM)技術等學科基礎上的一門綜合性實用技術。逆變理論的研究和應用是逆變技術發展的根本原因。逆變器的產生，使得直流電向交流電轉換成為了可能。在現有的電源形式中，干電池、蓄電池和太陽能電池等各種形式的直流電源，當這些電源向交流負載提供電能時，就需要逆變器。在交流電動機的調速器、不間斷的供電電源、通過感應加熱的電源等電力電子裝置中，其核心都是逆變電路。此外，隨著小型逆變器的產生，使得各種小型的用電設備，如筆記本電腦、數碼相機、手機等電器的交流用電得到可靠的保障。在新型能源的開發和應用行業，逆變器更是必不可少。

小功率三相逆變領域常采用6只獨立的MOSFET分立器件以及6路獨立的驅動電路來實現逆變電路結構，電路結構復雜，設計相對困難；而且由于器件數量多，每個MOSFET分立器件在應用中有空間上的體積要求，在實際的電路設計時，占用很大的PCB空間，導致最終PCB板較大，在一些尺寸有嚴格要求的場合應用非常不利。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種智能功率MOSFET逆變模塊，用于解決現有技術中獨立的MOSFET分立器件和驅動電路結構復雜且占用PCB板空間較大等問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種智能功率MOSFET逆變模塊，所述MOSFET逆變模塊至少包括：印制電路板、陶瓷覆銅板、MOSFET芯片、第一連接線、第二連接線以及塑封件；

所述印制電路板上設置有驅動電路和用于外接的焊盤；

所述陶瓷覆銅板表面具有線路圖案；

所述MOSFET芯片固定在所述陶瓷覆銅板表面，所述MOSFET芯片通過所述第一連接線與所述焊盤相連，所述MOSFET芯片通過所述第二連接線與所述線路圖案相連，所述MOSFET芯片與所述線路圖案構成三相逆變電路；

所述塑封件灌封所述印制電路板、陶瓷覆銅板、MOSFET芯片、第一連接線以及第二連接線。

作為本發明智能功率MOSFET逆變模塊的一種優化的方案，所述驅動電路包括印制在所述印制電路板中的6路MOSFET驅動線路和焊接在所述印制電路板上且與所述MOSFET驅動線路相連的電子元器件。

作為本發明智能功率MOSFET逆變模塊的一種優化的方案，所述電子元器件為電阻、電容、電感或者晶體管中的一種或者多種的組合。