[發明專利]一種智能功率MOSFET逆變模塊

有效

• 申請號: 201711064431.4
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN109756127B
• 公開（公告）日: 2020-11-20
• 發明（設計）人: 李春林;車湖深;李彥瑩
• 申請（專利權）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于，所述MOSFET逆變模塊至少包括：印制電路板、陶瓷覆銅板、MOSFET芯片、第一連接線、第二連接線以及塑封件；

所述印制電路板上設置有驅動電路和用于外接的焊盤；

所述陶瓷覆銅板表面具有線路圖案；

所述MOSFET芯片固定在所述陶瓷覆銅板表面，所述MOSFET芯片通過所述第一連接線與所述焊盤相連，所述MOSFET芯片通過所述第二連接線與所述線路圖案相連，所述MOSFET芯片與所述線路圖案構成三相逆變電路；

所述塑封件灌封所述印制電路板、陶瓷覆銅板、MOSFET芯片、第一連接線以及第二連接線；

所述MOSFET逆變模塊還包括多個金屬端子，所述金屬端子與所述線路圖案以及印制電路板直接電連，所述金屬端子的一端灌封在所述塑封件中，且所述金屬端子設置于所述MOSFET逆變模塊的同一側。

2.根據權利要求1所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：所述驅動電路包括印制在所述印制電路板中的6路MOSFET驅動線路和焊接在所述印制電路板上且與所述MOSFET驅動線路相連的電子元器件。

3.根據權利要求2所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：所述電子元器件為電阻、電容、電感或者晶體管中的一種或者多種的組合。

4.根據權利要求1所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：所述陶瓷覆銅板包括陶瓷層以及分別制備在所述陶瓷層正面和背面的銅層，所述MOSFET芯片固定在所述正面的銅層表面，所述正面的銅層具有線路圖案。

5.根據權利要求4所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：采用蝕刻技術將所述正面的銅層蝕刻形成線路圖案。

6.根據權利要求1所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：所述MOSFET芯片通過焊料固定在所述陶瓷覆銅板表面。

7.根據權利要求1所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：采用超聲鍵合工藝將所述第一連接線的一端與所述MOSFET芯片相連、另一端與所述焊盤相連；同時采用超聲鍵合工藝將所述第二連接線的一端與所述MOSFET芯片相連、另一端與所述線路圖案相連。

8.根據權利要求1所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：所述第一連接線和第二連接線為鋁絲。

9.根據權利要求1所述的智能功率MOSFET逆變模塊，其特征在于：所述MOSFET逆變模塊包括6個MOSFET芯片，所述6個MOSFET芯片呈兩行交叉排列。