[發明專利]一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201711062677.8 | 申請日: | 2017-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN107819019A | 公開(公告)日: | 2018-03-20 |
| 發明(設計)人: | 彭川;崔艷;張宇 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 黃燦,胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
像素定義層和N種顏色的子像素,所述像素定義層定義出多個子像素區域,所述子像素設置在所述子像素區域內,所述像素定義層包括第一像素定義層和第二像素定義層,所述第二像素定義層的寬度小于所述第一像素定義層的寬度,所述第一像素定義層用于分隔相鄰的不同顏色的子像素,所述第二像素定義層用于分隔相鄰的相同顏色的子像素,其中,N為大于1的正整數。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二像素定義層的高度小于所述第一像素定義層的高度。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一像素定義層的寬度大于或等于10μm,高度大于或等于3μm,所述第二像素定義層的寬度為5~10μm,高度為1~3μm。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板為有機發光二極管顯示基板。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,相鄰的相同顏色的至少兩個子像素對應的發光層相連。
6.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,相鄰的相同顏色的子像素對應的發光層不相連。
7.一種顯示基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成像素定義層,所述像素定義層包括第一像素定義層和第二像素定義層,所述第二像素定義層的寬度小于所述第一像素定義層的寬度;
在像素定義層定義的子像素區域內形成N種顏色的子像素,其中,所述第一像素定義層用于分隔相鄰的不同顏色的子像素,所述第二像素定義層用于分隔相鄰的相同顏色的子像素,其中,N為大于1的正整數。
8.根據權利要求7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述第一像素定義層的寬度大于或等于10μm,高度大于或等于3μm,所述第二像素定義層的寬度為5~10μm,高度為1~3μm。
9.根據權利要求7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述形成包括第一像素定義層和第二像素定義層的像素定義層的步驟包括:
采用半色調或灰色調掩膜版,并通過曝光工藝形成第一像素定義層和第二像素定義層,其中,形成的所述第二像素定義層的高度小于所述第一像素定義層的高度。
10.根據權利要求7所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述顯示基板為有機發光二極管顯示基板。
11.根據權利要求10所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述在像素定義層定義的子像素區域內形成N種顏色的子像素的步驟包括:
提供一蒸鍍掩膜版,所述掩膜版包括多個開口區,其中,所述顯示基板上的相鄰的相同顏色的至少兩個子像素對應一所述開口區;
采用所述蒸鍍掩膜版,并通過蒸鍍工藝形成發光層,其中,相鄰的相同顏色的至少兩個子像素對應的發光層相連。
12.根據權利要求10所述的顯示基板的制作方法,其特征在于,所述在像素定義層定義的子像素區域內形成N種顏色的子像素的步驟包括:
提供一蒸鍍掩膜版,所述掩膜版包括多個開口區,其中,所述顯示基板上的相鄰的相同顏色的子像素對應不同的開口區;
采用所述蒸鍍掩膜版,并通過蒸鍍工藝形成發光層,其中,相鄰的相同顏色的子像素對應的發光層不相連。
13.一種有機發光二極管顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-6任一項所述的顯示基板。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711062677.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種電致發光顯示面板及顯示裝置
- 下一篇:一種有機發光顯示面板及顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





