[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711062120.4
• 申請(qǐng)日: 2017-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108630694B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李南宰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11529
• 分類號(hào): H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

半導(dǎo)體器件及其制造方法。本文提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層各自包括導(dǎo)線和焊盤，所述焊盤與所述導(dǎo)線聯(lián)接并且具有比所述導(dǎo)線的厚度更厚的厚度，所述導(dǎo)電層被堆疊使得所述焊盤暴露；絕緣層，所述絕緣層插入在相應(yīng)的導(dǎo)電層之間；第一間隔件，所述第一間隔件各自插入在上導(dǎo)電層的焊盤與下導(dǎo)電層的焊盤之間；以及第二間隔件，所述第二間隔件覆蓋相應(yīng)的第一間隔件。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)的各種實(shí)施方式通常涉及電子設(shè)備，并且更具體地說(shuō)，涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

非易失性存儲(chǔ)器件保持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，而不管電源開(kāi)/關(guān)狀態(tài)如何。近來(lái)，隨著包括形成在單層中的基板上的存儲(chǔ)單元的二維非易失性存儲(chǔ)器件達(dá)到集成改進(jìn)的極限，已經(jīng)提出了三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器件，其包括在基板上沿著垂直方向堆疊的存儲(chǔ)單元。

三維非易失性存儲(chǔ)器件可以包括彼此交替堆疊的層間絕緣層和柵極，以及穿過(guò)層間絕緣層和柵極的溝道層。存儲(chǔ)單元沿溝道層堆疊。為了提高具有三維結(jié)構(gòu)的這種非易失性存儲(chǔ)器件的操作可靠性，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了各種結(jié)構(gòu)和制造方法。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)的各種實(shí)施方式涉及具有穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和改進(jìn)的特性且制造工藝容易的半導(dǎo)體器件，以及制造該半導(dǎo)體器件的方法。

本公開(kāi)的實(shí)施方式可以提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層各自包括導(dǎo)線和焊盤，所述焊盤與所述導(dǎo)線聯(lián)接并且具有比所述導(dǎo)線的厚度更厚的厚度，所述導(dǎo)電層被堆疊使得所述焊盤暴露；絕緣層，所述絕緣層插入在各個(gè)導(dǎo)電層之間；第一間隔件，所述第一間隔件各自插入在上導(dǎo)電層的焊盤與下導(dǎo)電層的焊盤之間；以及第二間隔件，所述第二間隔件覆蓋各個(gè)第一間隔件。

本公開(kāi)的實(shí)施方式可以提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層各自包括導(dǎo)線和焊盤，所述焊盤與所述導(dǎo)線聯(lián)接并且具有比所述導(dǎo)線的厚度更厚的厚度，所述導(dǎo)電層被堆疊使得所述焊盤暴露；絕緣層，所述絕緣層插入在所述導(dǎo)電層之間，所述絕緣層中的每一個(gè)具有其端部向上彎曲以覆蓋上導(dǎo)電層的焊盤的形狀；以及接觸插塞，所述接觸插塞與所述導(dǎo)電層的各個(gè)焊盤聯(lián)接。

本公開(kāi)的實(shí)施方式可以提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：形成包括以階梯結(jié)構(gòu)交替地堆疊的第一材料層和第二材料層的疊層；在暴露于所述階梯結(jié)構(gòu)中的所述第一材料層和第二材料層的側(cè)壁上形成第一間隔件；在形成有所述第一間隔件的疊層上形成第三材料層；通過(guò)選擇性地蝕刻第一材料層來(lái)形成開(kāi)口，以便通過(guò)所述開(kāi)口暴露所述第三材料層；通過(guò)選擇性地蝕刻經(jīng)由所述開(kāi)口暴露的所述第三材料層來(lái)形成第二間隔件，其中，所述第二間隔件覆蓋各個(gè)第一間隔件；以及在所述開(kāi)口中形成導(dǎo)電層。

本公開(kāi)的實(shí)施方式可以提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟：形成包括第一材料層和第二材料層的疊層，所述第一材料層以階梯結(jié)構(gòu)來(lái)堆疊，所述第二材料層插入在所述第一材料層之間，所述第二材料層中的每一個(gè)具有向上彎曲以覆蓋位于該第二材料層上方的所述第一材料層中的每一個(gè)的側(cè)壁的端部；在所述疊層上形成第三材料層；通過(guò)選擇性地蝕刻所述第一材料層形成開(kāi)口，以便通過(guò)所述開(kāi)口暴露所述第三材料層；通過(guò)選擇性地蝕刻經(jīng)由所述開(kāi)口暴露的所述第三材料層來(lái)形成間隔件，所述間隔件中的每一個(gè)覆蓋對(duì)應(yīng)的第二材料層的所述端部；以及在所述開(kāi)口中形成導(dǎo)電層。

附圖說(shuō)明

圖1A和圖1B是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖2A和圖2B是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的截面圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。

圖4A和圖4B是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。

圖5和圖6是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的框圖。