[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201711062120.4
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN108630694B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

導電層，所述導電層各自包括導線和焊盤，所述焊盤與所述導線聯接并且具有比所述導線的厚度更厚的厚度，所述導電層被堆疊使得所述焊盤暴露；

絕緣層，所述絕緣層插入在各個導電層之間；

第一間隔件，所述第一間隔件各自插入在上導電層的焊盤與下導電層的焊盤之間；以及

第二間隔件，所述第二間隔件覆蓋各個第一間隔件，

其中，所述第二間隔件中的每一個與所述上導電層的焊盤的側壁和所述下導電層的焊盤的上表面接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一間隔件中的每一個覆蓋對應的絕緣層的側壁。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述上導電層的焊盤和所述下導電層的焊盤彼此間隔開對應的第一間隔件的厚度。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，在所述絕緣層中的每一個與所述下導電層的焊盤之間存在間隙，并且所述間隙由對應的第一間隔件填充。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第二間隔件中的每一個的下表面設置在比對應的絕緣層的下表面更高的水平面上。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述第二間隔件中的每一個包括相對于所述絕緣層和對應的所述第一間隔件具有高蝕刻選擇性的材料。

7.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述絕緣層中的每一個或所述第一間隔件中的每一個包括氧化物材料，并且所述第二間隔件中的每一個包括氮化物材料。

8.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

導電層，所述導電層各自包括導線和焊盤，所述焊盤與所述導線聯接并且具有比所述導線的厚度更厚的厚度，所述導電層被堆疊使得所述焊盤暴露；

絕緣層，所述絕緣層插入在所述導電層之間，所述絕緣層中的每一個具有其端部向上彎曲以覆蓋上導電層的焊盤的形狀；

接觸插塞，所述接觸插塞與所述導電層的各個焊盤聯接；以及

覆蓋所述絕緣層的各個端部的間隔件，

其中，所述間隔件中的每一個與所述上導電層的焊盤的側壁和下導電層的焊盤的上表面接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述絕緣層中的每一個的下表面設置在比對應的間隔件的下表面更低的水平面上。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述間隔件中的每一個包括相對于所述絕緣層具有高蝕刻選擇性的材料。

11.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述絕緣層中的每一個包括氧化物材料，并且所述間隔件中的每一個包括氮化物材料。

12.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

形成包括以階梯結構交替地堆疊的第一材料層和第二材料層的疊層；

在暴露于所述階梯結構中的所述第一材料層和第二材料層的側壁上形成第一間隔件；

在形成有所述第一間隔件的疊層上形成第三材料層；

通過選擇性地蝕刻第一材料層來形成開口，以便通過所述開口暴露所述第三材料層；

通過選擇性地蝕刻經由所述開口暴露的所述第三材料層來形成第二間隔件，其中，所述第二間隔件覆蓋各個第一間隔件；以及

在所述開口中形成導電層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，形成所述第二間隔件的步驟包括使用所述第一間隔件作為蝕刻阻擋層來局部蝕刻所述第三材料層。