[發(fā)明專利]微型發(fā)光二極管顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711061697.3
• 申請(qǐng)日: 2017-11-02
• 公開（公告）號(hào): CN109755266B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉應(yīng)蒼;李玉柱;陳培欣;陳奕靜;林子旸;賴育弘
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

一種微型發(fā)光二極管顯示面板，包括基板、多個(gè)微型發(fā)光二極管以及多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)微型發(fā)光二極管設(shè)置于基板的一側(cè)，其中各個(gè)微型發(fā)光二極管包括磊晶層與電性連接磊晶層的電極層，且各個(gè)電極層位于基板與對(duì)應(yīng)的磊晶層之間。各個(gè)微型發(fā)光二極管通過對(duì)應(yīng)的電極層電性連接基板。各個(gè)電極層包括第一電極與第二電極。所述多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)分別設(shè)置于所述多個(gè)微型發(fā)光二極管與基板之間，且各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)位于對(duì)應(yīng)的第一電極與第二電極之間。各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的楊氏模量小于對(duì)應(yīng)的電極層的楊氏模量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種顯示面板，尤其涉及一種微型發(fā)光二極管顯示面板。

背景技術(shù)

微型發(fā)光二極管顯示器具有低功耗、高亮度、高色彩飽和度、反應(yīng)速度快以及省電等優(yōu)點(diǎn)，不僅如此，微型發(fā)光二極管顯示器還具有材料穩(wěn)定性佳與無影像殘留(imagesticking)等優(yōu)勢(shì)。因此，微型發(fā)光二極管顯示器的顯示技術(shù)的發(fā)展備受關(guān)注。

就制程上而言，在將微型發(fā)光二極管自成長(zhǎng)基板轉(zhuǎn)移至驅(qū)動(dòng)電路基板的過程中，需對(duì)微型發(fā)光二極管進(jìn)行加熱加壓，以使微型發(fā)光二極管電性接合于驅(qū)動(dòng)電路基板。然而，在此轉(zhuǎn)移過程中，容易造成微型發(fā)光二極管損傷，甚至是碎裂，以致于后續(xù)制作得到的微型發(fā)光二極管顯示器的可靠度不佳。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管顯示面板，其具有良好的可靠度。

本發(fā)明一實(shí)施例的微型發(fā)光二極管顯示面板包括基板、多個(gè)微型發(fā)光二極管以及多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)微型發(fā)光二極管設(shè)置于基板的一側(cè)，其中各個(gè)微型發(fā)光二極管包括磊晶層與電性連接磊晶層的電極層，且各個(gè)電極層位于基板與對(duì)應(yīng)的磊晶層之間。各個(gè)微型發(fā)光二極管通過對(duì)應(yīng)的電極層電性連接基板，其中各個(gè)電極層的厚度與對(duì)應(yīng)的磊晶層的厚度的比值介于0.3至0.5之間，且各個(gè)電極層包括分隔設(shè)置的第一電極與第二電極。所述多個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)分別設(shè)置于所述多個(gè)微型發(fā)光二極管與基板之間，且各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)位于對(duì)應(yīng)的第一電極與第二電極之間，其中各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的楊氏模量小于對(duì)應(yīng)的電極層的楊氏模量。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)磊晶層包括第一型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及第二型半導(dǎo)體層，各個(gè)第一型半導(dǎo)體層與對(duì)應(yīng)的第二型半導(dǎo)體層分別位于對(duì)應(yīng)的發(fā)光層的相對(duì)兩側(cè)，其中各個(gè)第一電極電性接觸對(duì)應(yīng)的第一型半導(dǎo)體層，且各個(gè)第二電極通過貫穿對(duì)應(yīng)的第一型半導(dǎo)體層與發(fā)光層的導(dǎo)電通孔電性接觸對(duì)應(yīng)的第二型半導(dǎo)體層。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)導(dǎo)電通孔的深度與對(duì)應(yīng)的磊晶層的厚度的比值介于0.15至0.35之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)微型發(fā)光二極管的邊長(zhǎng)介于3至100微米之間，且各個(gè)第一電極與對(duì)應(yīng)的第二電極之間的間隙介于1至30微米之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)第一電極與對(duì)應(yīng)的第二電極之間的間隙與對(duì)應(yīng)的微型發(fā)光二極管的邊長(zhǎng)的比值介于0.1至0.25之間。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)第一電極具有第一內(nèi)側(cè)面，且各個(gè)第二電極具有第二內(nèi)側(cè)面，各個(gè)第一內(nèi)側(cè)面面向于對(duì)應(yīng)的第二內(nèi)側(cè)面，且各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)接觸對(duì)應(yīng)的第一內(nèi)側(cè)面與第二內(nèi)側(cè)面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基板包括多個(gè)支撐結(jié)構(gòu)、多個(gè)第一接墊與多個(gè)第二接墊，各個(gè)第一電極電性接觸對(duì)應(yīng)的第一接墊，各個(gè)第二電極電性接觸對(duì)應(yīng)的第二接墊，且各個(gè)支撐結(jié)構(gòu)與對(duì)應(yīng)的強(qiáng)化結(jié)構(gòu)相抵接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)微型發(fā)光二極管的第一電極具有面對(duì)基板的第一接合面，各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)具有面對(duì)基板的頂面，各個(gè)第一接合面與對(duì)應(yīng)的頂面之間的段差小于等于對(duì)應(yīng)的第一電極的厚度的50％。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的各個(gè)微型發(fā)光二極管的第二電極具有面對(duì)基板的第二接合面，各個(gè)強(qiáng)化結(jié)構(gòu)的頂面凸出于對(duì)應(yīng)的第一接合面與第二接合面。