[發明專利]微型發光二極管顯示面板有效
| 申請號: | 201711061697.3 | 申請日: | 2017-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN109755266B | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 劉應蒼;李玉柱;陳培欣;陳奕靜;林子旸;賴育弘 | 申請(專利權)人: | 錼創顯示科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微型 發光二極管 顯示 面板 | ||
1.一種微型發光二極管顯示面板,包括:
基板;
多個微型發光二極管,設置于所述基板的一側,其中所述多個微型發光二極管的每一個包括磊晶層與電性連接所述磊晶層的電極層,且所述多個電極層的每一個位于所述基板與對應的所述磊晶層之間,所述多個微型發光二極管的每一個通過對應的所述電極層電性連接所述基板,其中所述多個電極層的每一個的厚度與對應的所述磊晶層的厚度的比值介于0.3至0.5之間,且所述多個電極層的每一個包括分隔設置的第一電極與第二電極;以及
多個強化結構,分別設置于該些微型發光二極管與基板之間,且所述多個強化結構的每一個位于對應的所述第一電極與所述第二電極之間,其中所述多個強化結構的每一個的楊氏模量小于對應的所述電極層的楊氏模量。
2.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個磊晶層的每一個包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層,所述多個第一型半導體層的每一個與對應的所述第二型半導體層分別位于對應的所述發光層的相對兩側,其中所述多個第一電極的每一個電性接觸對應的所述第一型半導體層,且所述多個第二電極的每一個通過貫穿對應的所述第一型半導體層與所述發光層的導電通孔電性接觸對應的所述第二型半導體層。
3.根據權利要求2所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個導電通孔的每一個的深度與對應的所述磊晶層的厚度的比值介于0.15至0.35之間。
4.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個微型發光二極管的每一個的邊長介于3至100微米之間,且所述多個第一電極的每一個與對應的所述第二電極之間的間隙介于1至30微米之間。
5.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個第一電極的每一個與對應的所述第二電極之間的間隙與對應的所述微型發光二極管的邊長的比值介于0.1至0.25之間。
6.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個第一電極的每一個具有第一內側面,且所述多個第二電極的每一個具有第二內側面,所述多個第一內側面的每一個面向于對應的所述第二內側面,且所述多個強化結構的每一個接觸對應的所述第一內側面與所述第二內側面。
7.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述基板包括多個支撐結構、多個第一接墊與多個第二接墊,所述多個第一電極的每一個電性接觸對應的所述第一接墊,所述多個第二電極的每一個電性接觸對應的所述第二接墊,且所述多個支撐結構的每一個與對應的所述強化結構相抵接。
8.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個微型發光二極管的每一個的所述第一電極具有面對所述基板的第一接合面,所述多個強化結構的每一個具有面對所述基板的頂面,所述多個第一接合面的每一個與對應的所述頂面之間的段差小于等于對應的所述第一電極的厚度的50%。
9.根據權利要求8所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個微型發光二極管的每一個的所述第二電極具有面對所述基板的第二接合面,所述多個強化結構的每一個的所述頂面凸出于對應的所述第一接合面與所述第二接合面。
10.根據權利要求9所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述基板包括多個第一接墊與多個第二接墊,所述多個第一電極的每一個電性接觸對應的所述第一接墊,所述多個第二電極的每一個電性接觸對應的所述第二接墊,且所述多個強化結構的每一個插入對應的所述第一接墊與所述第二接墊之間。
11.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示面板,其中該些強化結構的至少其一具有第一高度,且該些強化結構的至少另一具有第二高度,所述第一高度大于所述第二高度。
12.根據權利要求11所述的微型發光二極管顯示面板,其中所述多個微型發光二極管的每一個的所述電極層通過接合層電性連接所述基板,該些接合層的至少其一具有第一厚度,且該些接合層的至少另一具有第二厚度,所述第一厚度大于所述第二厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





