[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711058025.7 | 申請(qǐng)日: | 2017-11-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108109927B | 公開(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錦澤篤志;團(tuán)野忠敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/14 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 李輝;董典紅 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,包括:
裸片焊盤,具有主表面、在所述主表面上形成的第一鍍層和與所述主表面相對(duì)的背表面;
半導(dǎo)體芯片,具有前表面、在所述前表面上形成的多個(gè)電極焊盤和與所述前表面相對(duì)的后表面,并且經(jīng)由第一接合材料安裝在所述裸片焊盤的所述主表面上,使得在平面圖中從所述半導(dǎo)體芯片露出所述裸片焊盤的所述主表面的第一區(qū)域;
多個(gè)引線,在平面圖中布置在所述半導(dǎo)體芯片的周圍,所述多個(gè)引線中的每個(gè)引線具有上表面和與所述上表面相對(duì)的下表面,在所述上表面上局部地形成第二鍍層;
多個(gè)導(dǎo)線,經(jīng)由所述第二鍍層將所述半導(dǎo)體芯片的所述多個(gè)電極焊盤與所述多個(gè)引線分別電連接;和
密封體,密封所述半導(dǎo)體芯片、所述裸片焊盤的至少一部分、所述多個(gè)導(dǎo)線和所述多個(gè)引線中的每個(gè)引線的至少一部分,
其中所述多個(gè)引線和所述裸片焊盤中的每一個(gè)都由主要包含銅的金屬材料制成,
其中所述第一鍍層和所述第二鍍層中的每一個(gè)都由銀、金或鉑之一制成,
其中所述第一鍍層被覆蓋有所述半導(dǎo)體芯片,使得在平面圖中所述第一鍍層不從所述半導(dǎo)體芯片露出,
其中所述第一鍍層被覆蓋有所述第一接合材料,使得所述第一鍍層不與所述密封體接觸,
其中所述半導(dǎo)體芯片具有電路形成區(qū)域,在所述電路形成區(qū)域中形成多個(gè)半導(dǎo)體集成電路,以及
其中所述半導(dǎo)體芯片被安裝在所述裸片焊盤上,使得在平面圖中所述半導(dǎo)體芯片的所述電路形成區(qū)域位于其中形成所述第一鍍層的區(qū)域內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一鍍層的面積在平面圖中等于或大于所述半導(dǎo)體芯片的面積的70%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一接合材料由包含導(dǎo)電材料和樹脂材料的導(dǎo)電接合材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一接合材料由燒結(jié)金屬形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述裸片焊盤的所述背表面從所述密封體露出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述裸片焊盤的所述主表面中的、其中沒有形成所述鍍層的所述第一區(qū)域具有比所述第一鍍層的表面粗糙度更粗糙的表面粗糙度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述裸片焊盤的所述主表面中的、其中沒有形成所述鍍層的所述第一區(qū)域具有比從所述密封體露出的、所述多個(gè)引線中的每個(gè)引線的第二區(qū)域的表面粗糙度更粗糙的表面粗糙度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中與所述密封體接觸的所述裸片焊盤的區(qū)域被粗糙化。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,
其中所述第一鍍層是銀層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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