[發(fā)明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711056345.9 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107768417B | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余赟 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 孫威;潘中毅 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種顯示基板,包括:無機(jī)膜層;設(shè)置在無機(jī)膜層一側(cè)表面和四周側(cè)的基板膜層,其中:基板膜層將無機(jī)膜層局部包覆;設(shè)置在基板膜層上的薄膜晶體管、OLED層和封裝層。本發(fā)明還公開了一種顯示基板的制備方法,包括以下步驟:在載體基板上沉積無機(jī)膜層;在無機(jī)膜層上涂布基板膜層,基板膜層涂布在無機(jī)膜層的一側(cè)表面和四周側(cè),將無機(jī)膜層局部包覆;在基板膜層上制備薄膜晶體管;在薄膜晶體管上制備OLED層;在OLED層上制備封裝層。本發(fā)明還公開了一種顯示裝置。實(shí)施本發(fā)明的顯示基板及其制備方法、顯示裝置,有效減小顯示基板的邊緣膜層厚度不均勻區(qū)域的范圍,提高基板使用面積的利用率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示基板制造領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
塑料聚合物因具備質(zhì)量輕、可進(jìn)行大面積涂布、耐高溫、透明等優(yōu)點(diǎn)目前作為柔性顯示基板的制備材料廣泛應(yīng)用。
現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板的制作過程通常為:在載體基板8上涂布基板膜層9,如圖2所示,為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板結(jié)構(gòu)一的示意圖。該結(jié)構(gòu)存在的技術(shù)問題是:由于液體流動產(chǎn)生的表面張力,基板膜層9在烘烤固化后在基板膜層9的邊緣區(qū)域會形成不均勻的膜層區(qū)域9a。例如:圖1中涂布基板膜層9的厚度為10μm左右時(shí),不均勻的膜層區(qū)域9a的區(qū)域范圍H大概為3~5mm。
此外,當(dāng)涂布基板膜層9的厚度增加時(shí),顯示基板結(jié)構(gòu)中不均勻的膜層區(qū)域9a的區(qū)域會增大,如圖2所示,為現(xiàn)有技術(shù)中顯示基板結(jié)構(gòu)二的示意圖。當(dāng)基板膜層9涂布厚度達(dá)到15~20μm時(shí),不均勻的膜層區(qū)域9a的區(qū)域范圍T會增大到5~10mm。
綜上,現(xiàn)有基板的涂布方式會造成基板邊緣的膜層不均勻,存在基板有效利用面積減少的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,有效減小顯示基板邊緣膜層厚度不均勻區(qū)域的范圍,提高基板使用面積的利用率。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種顯示基板,包括:無機(jī)膜層;設(shè)置在無機(jī)膜層一側(cè)表面和四周側(cè)的基板膜層,其中:基板膜層將無機(jī)膜層局部包覆;設(shè)置在基板膜層上的薄膜晶體管、OLED層和封裝層,無機(jī)膜層的邊界與基板膜層的邊界之間的距離范圍在3-10mm之間。
其中,無機(jī)膜層所使用材料的熱膨脹系數(shù)與基板膜層所使用材料的熱膨脹系數(shù)相同或相近。
其中,無機(jī)膜層的材料為硅或二氧化硅,基板膜層的材料為聚酰亞胺。
其中,無機(jī)膜層的厚度尺寸小于基板膜層的厚度尺寸,無機(jī)膜層的厚度為100-500nm。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還公開了一種顯示基板的制備方法,包括以下步驟:在載體基板上沉積無機(jī)膜層;在無機(jī)膜層上涂布基板膜層,基板膜層涂布在無機(jī)膜層的一側(cè)表面和四周側(cè),將無機(jī)膜層局部包覆,無機(jī)膜層的邊界與基板膜層的邊界之間的距離范圍在3-10mm之間;在基板膜層上制備薄膜晶體管;在薄膜晶體管上制備OLED層;在OLED層上制備封裝層。
其中,還包括:將載體基板剝離,形成顯示基板。
其中,沉積無機(jī)膜層的步驟中,述無機(jī)膜層的厚度為100-500nm;無機(jī)膜層所使用材料的熱膨脹系數(shù)與基板膜層所使用材料的熱膨脹系數(shù)相同或相近。
其中,在無機(jī)膜層上涂布基板膜層的步驟中,無機(jī)膜層的邊界與基板膜層的邊界之間的距離范圍在3-10mm之間。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明還公開了一種顯示裝置。
實(shí)施本發(fā)明所提供的顯示基板及其制備方法、顯示裝置,具有如下有益效果,在載體基板上沉積無機(jī)膜層;在無機(jī)膜層上涂布基板膜層,基板膜層涂布在無機(jī)膜層的一側(cè)表面和四周側(cè),將無機(jī)膜層局部包覆,有效減小顯示基板的邊緣膜層厚度不均勻區(qū)域的范圍,提高基板使用面積的利用率。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





