[發(fā)明專利]一種氮化鎵基紅光外延片結構及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711052308.0 | 申請日： | 2017-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN107845710B | 公開（公告）日： | 2019-08-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 姜紅苓;鐘玉煌;田淑芬 | 申請（專利權）人： | 江蘇新廣聯(lián)半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 紅光 外延 結構 制備 方法 | ||
1.一種氮化鎵基紅光外延片結構的制備方法，其特征是，包括如下步驟：
步驟一. 提供一藍寶石襯底（1），在所述藍寶石襯底（1）上依次生長緩沖層（2）、N型層（3）；
步驟二. 在N型層（3）上生長有源區(qū)發(fā)光層（4），具體過程為：在高比例60~100g/min氨氣源的氛圍下，控制反應腔體的壓力為100~300Torr 范圍，先生長一層InyGa1-yN量子阱阱層，在InyGa1-yN量子阱阱層上繼續(xù)生長一層GaN壘層，如此交替生長5~10個循環(huán)；
飽和蒸氣壓公式：lg p（Torr）= B—A /T（k），其中，A =3204，B =10 .98，T為銦源水浴溫度，p為飽和蒸氣壓，在生長InyGa1-yN量子阱阱層過程中，通過改變銦源水浴溫度，可以改變反應室銦源的飽和蒸氣壓，且通過提升反應室的飽和蒸氣壓可以增加銦源摻入量；
生長有源區(qū)發(fā)光層（4）過程中，Ⅴ/Ⅲ族元素摻入比例范圍為2500～3500；
步驟三. 在有源區(qū)發(fā)光層（4）上生長P型層（5），完成外延層的生長。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種氮化鎵基紅光外延片結構的制備方法，其特征在于，銦源水浴溫度T為30℃～35℃，相應飽和蒸氣壓p的范圍為：100 .41~100 .58Torr。
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