[發明專利]一種帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構

在審

• 申請號: 201711051971.9
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107863379A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 張春偉;李陽;李威;岳文靜;付小倩;李志明;王靖博
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司37221
• 代理人: 趙妍

1.一種帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構，包括：P型半導體襯底(1)；在P型半導體襯底(1)上設置有N型漂移區(2)和P型阱(3)；在P型阱(3)上設有N型源區(4)和P型接觸區(5)；在N型漂移區(2)上設有N型漏區(6)和場氧化層(7)；在部分N型漂移區(2)和部分P型阱(3)上方設有柵氧化層(8)，且柵氧化層(8)的一端和N型源區(4)的邊界相抵，所述柵氧化層(8)的另一端與場氧化層(7)的邊界相抵；在柵氧化層(8)表面設有多晶硅柵(9)，且多晶硅柵(9)延伸至場氧化層(7)的上方；在部分P型阱(3)、P型接觸區(5)、N型源區(4)、多晶硅柵(9)、N型漏區(6)及部分場氧化層(7)的表面設有介質層(10)；在P型接觸區(5)和N型源區(4)上連接有源極金屬(11)，且源極金屬(11)延伸至場氧化層(7)的上方；N型漏區(6)上連接有漏極金屬(12)；其特征在于，所述N型漂移區(2)的內部設有場板輔助摻雜區(13)，且場板輔助摻雜區(13)的摻雜類型為N型。

2.根據權利要求1所述的帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構，其特征在于，所述場板輔助摻雜區(13)位于N型漂移區(2)的表面。

3.根據權利要求2所述的帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構，其特征在于，所述場板輔助摻雜區(13)的摻雜濃度大于N型漂移區(2)的摻雜濃度。

4.根據權利要求2所述的帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構，其特征在于，所述場板輔助摻雜區(13)位于源極金屬(11)正下方的覆蓋范圍之內。

5.一種應用于打印機、電動機或者平板顯示器的驅動芯片，其特征在于，采用了權利要求1-4所述的任一種帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構。

6.一種電源管理芯片，其特征在于，采用了權利要求1-4所述的任一種帶有場板輔助摻雜區的N型LDMOS結構。