[發明專利]n型雙面太陽電池的制備方法

在審

• 申請號: 201711050570.1
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108039374A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發明（設計）人: 李華;靳玉鵬
• 申請（專利權）人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 文雯

1.一種n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟，

步驟1、對n型硅基底進行去損傷層或織構化處理及清洗處理；

步驟2、在硅基底背面進行發射極的制備；

步驟3、進行絕緣處理；

步驟4、在硅基底正面進行前表面場制備；

步驟5、受光面的鈍化及減反射膜制備，以及背面鈍化層制備；

步驟6、在正面和背面圖形化形成包含導電成分的電極漿料層；

步驟7、進行第一熱處理過程；

步驟8、進行第二熱處理過程。

2.如權利要求1所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：步驟2中發射極制備采用直接在基底上摻雜形成的p型同質發射極，或在基底上沉積p型摻雜的多晶硅或非晶硅形成的異質發射極。

3.如權利要求2所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：采用異質發射極的制備時，在硅基底和摻雜多晶硅或非晶硅之間形成一層隧穿鈍化層。

4.如權利要求1所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：步驟4中前表面場采用直接在基底上摻雜形成的n型表面場，或在基底上沉積n型摻雜的多晶硅或非晶硅層而形成的異質表面場，前表面場采用整面或局部設置。

5.如權利要求4所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：采用異質背面發射極時，在硅基底和p型摻雜的多晶硅或非晶硅之間形成一層隧穿鈍化層。

6.如權利要求3或5所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：隧穿鈍化層采用本征非晶硅、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一種。

7.如權利要求5所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：所述隧穿鈍化層的厚度0.5nm~3nm。

8.如權利要求1所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：圖形化形成電極漿料層的方法是印刷方法、噴墨、激光轉印或3D打印方法。

9.如權利要求1所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：第一熱處理過程為燒結過程，燒結處理過程使用的峰值溫度為500~950℃。

10.如權利要求1所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：鈍化處理過程中使用原子層沉積方法、增強型等離子氣相沉積方法或熱生長方法形成的氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮氧化硅，或者它們中的兩個或兩個以上的組合物進行鈍化。

11.如權利要求1所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：第二熱處理方法為激光輻照處理方法或快速熱處理方法。

12.如權利要求11所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：激光輻照處理方法采用超過太陽能電池尺寸的大光斑一次照射，或使用小于太陽能電池面積的光斑進行掃描式輻照，輻照次數為一次及以上。

13.如權利要求11所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：激光輻照方法使用的激光器的波長是300~1100nm，激光輻照方法對整個電池表面進行輻照或僅對電極區域進行輻照處理。

14.如權利要求11所述的n型雙面太陽電池的制備方法，其特征在于：快速熱處理方法使用的峰值溫度為600~1000℃。