[發明專利]一種陣列基板、制備方法、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201711049758.4 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107731879A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發明(設計)人: | 孫凌紅 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別是涉及一種陣列基板、制備方法、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
在電致發光器件(OLED或QLED)和液晶(LCD)顯示領域,通常會利用噴墨打印等濕法成膜工藝形成有機功能層薄膜和彩膜結構。這些濕法成膜工藝的一個必要的步驟是:需要通過后續工藝去除多余的溶劑,從而干燥形成所需要的薄膜。而這一去除溶劑的干燥工藝過程決定了形成薄膜的形貌。對于光電顯示器件而言,干燥薄膜的形貌和均一性不好對器件的壽命和顯示效果有較大影響。
而在干燥過程中,當墨滴滴落到基板或像素內后,由于墨滴形狀的原因,墨滴中體積/單位面積比較小的中心部分與體積/單位面積比較大的邊緣部分的蒸發速率不同,所以墨水在邊緣部分干燥速率更快,最終導致咖啡環效應的產生,從而導致像素薄膜的平坦性難以保證,造成電致發光器件點亮的亮度不均,并且,導致材料的利用效率大大下降。
發明內容
本發明提供一種陣列基板、制備方法、顯示面板及顯示裝置,以解決現有方案中存在的電致發光器件點亮亮度不均,且材料利用率大大下降的問題。
為了解決上述問題,本發明公開了一種陣列基板,其包括:基板及陣列排布在所述基板上的陽極層;
其中,在距離各所述陽極層邊緣的預設距離范圍內,各所述陽極層的厚度在沿各所述陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大。
優選地,各所述陽極層包括各第一陽極層和各第二陽極層,各所述第二陽極層形成于各所述第一陽極層之上,所述距離各所述陽極層邊緣的預設距離范圍內,各所述陽極層的厚度在沿各所述陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大,包括:
在距離各所述第二陽極層邊緣的預設距離范圍內,各所述第二陽極層的厚度在沿各所述第二陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大。
優選地,所述陣列基板還包括:
形成在所述基板上的像素界定層及形成在各所述第二陽極層上的發光層。
優選地,所述基板包括:襯底及依次形成在所述襯底上的柵極層、柵極絕緣層、半導體層、源漏層、鈍化層、平坦層。
根據本發明的另一個方面,還公開了一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成電極層;
對所述電極層進行處理,形成陣列排布在所述基板上的陽極層;其中,在距離各所述陽極層邊緣的預設距離范圍內,各所述陽極層的厚度在沿各所述陽極層的中心到邊緣的方向上逐漸變大。
優選地,所述電極層包括第一電極層和第二電極層,所述對所述電極層進行處理,形成陣列排布在所述基板上的陽極層的步驟,包括::
對所述第一電極層進行處理,形成陣列排布在所述基板上的第一陽極層;
采用半色調掩膜工藝對各所述第二電極層進行圖案化處理,以形成排布于第一陽極層之上的所述第二陽極層;
其中,在距離各所述第二陽極層邊緣的預設距離范圍內,各所述第二陽極層的厚度在沿各所述第二陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大形狀的第二陽極層。
優選地,所述方法還包括:
在所述基板上蒸鍍形成像素界定層。
優選地,所述方法還包括:
在各所述陽極層上通過打印的方式形成各發光層。
根據本發明的另一個方面,還公開了一種顯示面板,包括上述任一項所述的陣列基板。
根據本發明的另一個方面,還公開了一種顯示裝置,其包括上述任一項所述的顯示面板。
與現有技術相比,本發明包括以下優點:
本發明實施例提供了一種陣列基板、制備方法、顯示面板及顯示裝置,通過將陣列排布在基板上的陽極層制作為在距離各陽極層邊緣的預設距離范圍內,各陽極層的厚度在沿各陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大的形狀,進而可以在電極上繼續打印發光材料時,可以有效避免咖啡環效應,以形成均勻厚度的膜層,提高了打印成膜的均一性,保證了像素薄膜的平坦性,可以使得電致發光器件點亮的亮度均勻,進一步提高了材料的利用效率。
附圖說明
圖1示出了現有技術中的一種墨水滴落到帶有Bank的像素坑內的斷面形貌示意圖;
圖2示出了現有技術中的一種干燥后實際測得的薄膜斷面輪廓示意圖;
圖3示出了本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖;
圖4示出了本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖;及
圖5示出了本發明實施例提供的一種陣列基板制備方法的步驟流程圖。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





