[發(fā)明專利]一種陣列基板、制備方法、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711049758.4 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107731879A | 公開(公告)日: | 2018-02-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫凌紅 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
基板及陣列排布在所述基板上的陽極層;
其中,在距離各所述陽極層邊緣的預(yù)設(shè)距離范圍內(nèi),各所述陽極層的厚度在沿各所述陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,各所述陽極層包括各第一陽極層和各第二陽極層,各所述第二陽極層形成于各所述第一陽極層之上,所述距離各所述陽極層邊緣的預(yù)設(shè)距離范圍內(nèi),各所述陽極層的厚度在沿各所述陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大,包括:
在距離各所述第二陽極層邊緣的預(yù)設(shè)距離范圍內(nèi),各所述第二陽極層的厚度在沿各所述第二陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
形成在所述基板上的像素界定層及形成在各所述第二陽極層上的發(fā)光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述基板包括:襯底及依次形成在所述襯底上的柵極層、柵極絕緣層、半導體層、源漏層、鈍化層、平坦層。
5.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成電極層;
對所述電極層進行處理,形成陣列排布在所述基板上的陽極層;其中,在距離各所述陽極層邊緣的預(yù)設(shè)距離范圍內(nèi),各所述陽極層的厚度在沿各所述陽極層的中心到邊緣的方向上逐漸變大。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述電極層包括第一電極層和第二電極層,所述對所述電極層進行處理,形成陣列排布在所述基板上的陽極層的步驟,包括:
對所述第一電極層進行處理,形成陣列排布在所述基板上的第一陽極層;
采用半色調(diào)掩膜工藝對各所述第二電極層進行圖案化處理,以形成排布于第一陽極層之上的所述第二陽極層;
其中,在距離各所述第二陽極層邊緣的預(yù)設(shè)距離范圍內(nèi),各所述第二陽極層的厚度在沿各所述第二陽極層的中心到邊緣方向上逐漸變大形狀的第二陽極層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在所述基板上蒸鍍形成像素界定層。
8.根據(jù)權(quán)利要求書5所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在各所述陽極層上通過打印的方式形成各發(fā)光層。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-4任一項所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





