[發明專利]FINFET和形成FINFET的方法

有效

• 申請號: 201711047931.7
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108122832B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 林經祥;黃泰鈞;包天一
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成鰭式場效應晶體管的方法，包括：

凹進位于襯底上的半導體鰭上方的柵電極以從介電層的頂面形成第一凹槽；

在凹進的所述柵電極上方的所述第一凹槽中形成第一掩模；

凹進位于所述半導體鰭的源極/漏極區上方的第一導電接觸件以從所述介電層的頂面形成第二凹槽；以及

在位于凹進的所述第一導電接觸件上方的所述第二凹槽中形成第二掩模。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一凹槽形成在所述第二凹槽之前。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二凹槽形成在所述第一凹槽之前。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模的材料組成不同于所述第二掩模的材料組成。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第二凹槽中形成襯墊絕緣層，所述襯墊絕緣層插接在所述第一導電接觸件和所述第二掩模之間。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述襯墊絕緣層是包括鋁、鈦、鉿、鋯、鉭或它們的組合的金屬氧化物或金屬氮化物，并且其中，所述第二掩模包括氮氧化硅、碳化硅、含碳氧化硅或它們的組合。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模包括氮化硅，并且其中，所述第二掩模包括氮氧化硅、碳化硅、含碳氧化硅或它們的組合。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

穿過所述第一掩模形成將連接至所述柵電極的第二導電接觸件；

穿過所述第二掩模形成將電連接至所述第一導電接觸件的第三導電接觸件。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述介電層、所述第二導電接觸件和第三導電接觸件的頂面齊平。

10.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述半導體鰭上方形成偽柵極結構；

在所述偽柵極結構的側壁上形成柵極間隔件；

圍繞所述柵極間隔件和所述偽柵極結構形成所述介電層；以及

用有源柵極結構替換所述偽柵極結構，所述有源柵極結構包括位于所述半導體鰭上的柵極電介質和位于柵極電介質上的所述柵電極。

11.一種形成鰭式場效應晶體管的方法，包括：

在襯底上形成鰭；

形成圍繞所述鰭的隔離區；

在所述鰭上方形成偽柵極結構；

在所述偽柵極結構的相對兩側上外延生長源極/漏極區；

在所述隔離區上方并圍繞所述偽柵極結構形成層間電介質；

用有源柵極結構替換所述偽柵極結構；

凹進所述有源柵極結構以形成第一凹槽；

在所述第一凹槽中形成第一掩模；

穿過所述層間電介質形成至所述源極/漏極區的第一導電接觸件；

凹進所述第一導電接觸件以形成第二凹槽；以及

在所述第二凹槽中形成第二掩模。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第一凹槽形成在所述第二凹槽之前。

13.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第二凹槽形成在所述第一凹槽之前。

14.根據權利要求11所述的方法，還包括：

在所述第二凹槽中形成襯墊絕緣層，所述襯墊絕緣層插接在所述第一導電接觸件和所述第二掩模之間。

15.根據權利要求11所述的方法，其中，所述第一掩模包括氮化硅，并且其中，所述第二掩模包括氮氧化硅、碳化硅、含碳氧化硅或它們的組合。