[發明專利]切割芯片接合帶和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711047774.X
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108022867A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 大西謙司;高本尚英;宍戶雄一郎;木村雄大;福井章洋
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;C09J7/40;C09J133/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

本公開涉及切割芯片接合帶和半導體裝置的制造方法。本公開的目的在于提供一種具有膠粘劑層的切割芯片接合帶，所述膠粘劑層具有對切割環的粘附功能、且吸濕回流焊可靠性優異。本公開涉及一種切割芯片接合帶。切割芯片接合帶包含：覆蓋膜、和包含膠粘劑層和基材層的膜。膠粘劑層位于覆蓋膜和基材層之間。膠粘劑層包含第一層和第二層，第一層的兩面由與覆蓋膜接觸的第一主面和與第二層接觸的第二主面所定義。第一層有時包含第一填料，在該情況下，第一層中的第一填料的量通過截面積分析為10％以下。第二層包含第二填料，第二層中的第二填料的量通過截面積分析為20％以上。

技術領域

本公開涉及切割芯片接合帶和半導體裝置的制造方法。

背景技術

具有以下方法：對半導體晶片的分割預定線(分割予定ライン)照射激光，使半導體晶片斷裂，從而得到各個半導體芯片的方法(以下有時稱為“隱形切割(ステルスダイシング)(注冊商標)”)；通過在半導體晶片的表面(surface)形成槽后進行半導體晶片的背面磨削，從而形成各個半導體芯片的方法(以下稱為“DBG(Dicing Before Grinding，先切割后研磨)法”)。

對于隱形切割或DBG法而言，有時在其過程中使用切割芯片接合帶。切割芯片接合帶中有包含基材層、粘合劑層、膠粘劑層和覆蓋膜的切割芯片接合帶。對于該類型而言，可以將切割環固定于粘合劑層。另一方面，還有包含基材層、膠粘劑層和覆蓋膜的切割芯片接合帶。對于該類型而言，有時將切割環固定于膠粘劑層。與前者的切割芯片接合帶相比，后者的切割芯片接合帶能夠更廉價地制造。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-185285號公報

專利文獻2：日本特開2004-281561號公報

專利文獻3：日本特開2011-181684號公報

發明內容

發明所要解決的問題

本公開的目的在于提供一種具有膠粘劑層的切割芯片接合帶，所述膠粘劑層具有對切割環的粘附功能、且吸濕回流焊可靠性優異。

用于解決問題的手段

本公開涉及一種切割芯片接合帶。切割芯片接合帶包含覆蓋膜、和包含膠粘劑層和基材層的膜。膠粘劑層位于覆蓋膜和基材層之間。膠粘劑層包含第一層和第二層，第一層的兩面由與覆蓋膜接觸的第一主面和與第二層接觸的第二主面所定義。第一層有時包含第一填料，在該情況下，第一層中的第一填料的量通過截面積分析為10％以下。第二層包含第二填料，第二層中的第二填料的量通過截面積分析為20％以上。

本公開的切割芯片接合帶的膠粘劑層具有對切割環的粘附功能、且吸濕回流焊可靠性優異。這是因為：第一層對膠粘劑層賦予切割環粘附功能，第二層對膠粘劑層賦予吸濕回流焊可靠性。第一層中的第一填料的量通過截面積分析為10％以下，因此第一層的切割環粘附力優異。另一方面，第二層中的第二填料的量通過截面積分析為20％以上，因此第二層的吸濕回流焊可靠性優異。

在將第一層的厚度設為T1、并將第二層的厚度設為T2時，從吸濕回流焊可靠性的觀點考慮，優選：T1對T2之比為0.025～1.0，T1為3μm以下。

膠粘劑層可以還包含與基材層接觸的第三層。第三層可以包含第三填料，優選第三層中的第三填料的量通過截面積分析為10％以下。在該情況下，能夠控制與基材層的剝離力，并且能夠進一步提高對被粘物的膠粘性。