[發明專利]切割芯片接合帶和半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201711047774.X
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108022867A
• 公開（公告）日: 2018-05-11
• 發明（設計）人: 大西謙司;高本尚英;宍戶雄一郎;木村雄大;福井章洋
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;C09J7/40;C09J133/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種切割芯片接合帶，其中，

所述切割芯片接合帶包含：覆蓋膜、和

包含膠粘劑層和基材層的膜，

所述膠粘劑層位于所述覆蓋膜和所述基材層之間，

所述膠粘劑層包含第一層和第二層，

所述第一層的兩面由與所述覆蓋膜接觸的第一主面和與所述第二層接觸的第二主面所定義，

所述第一層有時包含第一填料，在該情況下，所述第一層中的所述第一填料的量通過截面積分析為10％以下，

所述第二層包含第二填料，

所述第二層中的所述第二填料的量通過截面積分析為20％以上。

2.如權利要求1所述的切割芯片接合帶，其中，在將所述第一層的厚度設為T1、并將所述第二層的厚度設為T2時，T1對T2之比為0.025～1.0，T1為3μm以下。

3.如權利要求1或2所述的切割芯片接合帶，其中，

所述膠粘劑層還包含與所述基材層接觸的第三層，

所述第三層包含第三填料，并且

所述第三層中的所述第三填料的量通過截面積分析為10％以下。

4.一種半導體裝置的制造方法，其中，所述制造方法包含：

從權利要求1～3中任一項所述的切割芯片接合帶中除去所述覆蓋膜、并將半導體晶片固定于所述膜的所述第一層的工序；和

對所述膜施加拉應力而形成帶分割后膠粘劑層的半導體芯片的工序。