[發明專利]一種CL08-08系列高壓二極管芯片表面一次涂布工藝有效
| 申請號: | 201711047330.6 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107742609B | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發明(設計)人: | 嚴建萍 | 申請(專利權)人: | 南通皋鑫電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/56 |
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| 地址: | 226500 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cl08 08 系列 高壓 二極管 芯片 表面 一次 工藝 | ||
本發明涉及一種CL08?08系列高壓二極管芯片表面一次涂布工藝,它包括如下工藝步驟:選用CL08系列部件用涂布機;啟動涂布機進行涂布;啟動烘箱電源,按照烘箱設定程序運行,進行干燥固化;抽取固化后CL08系列部件樣品,進行膜厚測試。優點是設計合理,采用改進后粘度為625±50cp涂膠,一次涂布即可達到管芯表面涂敷工序膜厚工藝規范,省時省工,設備生產效率提高一倍。
技術領域
本發明涉及電子元器件制造領域,具體涉及一種CL08-08系列高壓二極管芯片表面一次涂布工藝。
背景技術
在高壓二極管生產制造過程中,芯片和引線燒結后,為了避免周圍氣氛和其它外界因素對器件性能的影響,需要在芯片表面覆蓋一層保護膜,這種保護膜目前是一種聚酰亞胺薄膜。
CL08系列高壓二極管反向耐壓高(大于8KV),工作電流大(大于350mA),因此芯片設計尺寸較大,要求聚酰亞胺膜厚達到15μm以上,否則會因表面膜層絕緣強度不足引起器件表面擊穿,目前管芯表面涂敷工序膜厚工藝規范18±3μm。以往在芯片表面涂敷工序,為了獲得表面均勻的涂層,部件在涂布機傳送過程中先在涂布輪工位進行涂布,涂布后芯片表面膠層會因自身重力有流掛現象,然后還要在回收輪布位進行回收。原工藝用膠的粘度在400±50cp(厘泊),部件涂布后芯片表面膠層流掛較多,經回收后進行高溫烘焙固化,膜層厚度一般約10μm,需要進行第二次涂布回收以及第二次干燥固化。前后兩次上膠固化,非常費時費工,嚴重影響設備生產效率。
發明內容
為解決上述問題本發明提出一種CL08-08系列高壓二極管芯片表面一次涂布工藝,設計合理,一次涂布即可達到管芯表面涂敷工序膜厚工藝規范,省時省工,設備生產效率提高一倍。
本發明提供如下技術方案:
一種CL08-08系列高壓二極管芯片表面一次涂布工藝,它包括如下工藝步驟:
(1)選用CL08系列部件用涂布機,調整涂布機之傳送帶速度,使之符合規定,同時開啟涂布機上各氮氣閥門,設定各氮氣流量計流量符合工藝規定,并往料缽中加入適量的涂膠。
(2)將布有CL08系列部件的塑料模具置于梳料架上,用鋸條模將CL08系列部件梳下,連鋸條模置于傳送帶上送至涂布機,再調節涂布輪、回收輪的高度、速度,啟動涂布機進行涂布。
(3)將涂布后部件連同鋸條模置于烘箱內,啟動烘箱電源,按照烘箱設定程序運行,進行干燥固化,結束后,關閉烘箱電源,待溫度降至100℃時,打開爐門,降溫后取出固化后CL08系列部件。
(4)抽取固化后CL08系列部件樣品,進行膜厚測試,金相顯微鏡測量上膠層膜厚,膜層厚度符合工藝規范。
在步驟(1)中所述涂膠的配比:聚酰亞胺原液:稀釋劑:茜素 =1000g:150ml:220g。
一種涂膠配制工藝,按照配比分別稱取相應重量原液、稀釋劑、茜素置于配料桶內,在配料桶中放入攪拌機捧,連接攪拌機攪拌5.5±0.5h,形成涂膠,并測試其粘度。
所述攪拌機轉速設定為為45±5轉/分。
所述稀釋劑為DMF,中文名稱為N,N-二甲基甲酰胺。
在步驟(3)中烘箱設定程序為,先在60±10℃烘0.5h,再加溫至120±10℃烘1h,再加溫至160±10℃烘1.5h,再加溫200±10℃烘0.5h,最后加溫至280±3℃烘8h。
在步驟(4)中所述膜層厚度符合工藝規范18±3μm。
所述涂膠的粘度為625±50cp。
本發明優點是,設計合理,采用改進后粘度為625±50cp涂膠,一次涂布即可達到管芯表面涂敷工序膜厚工藝規范,省時省工,設備生產效率提高一倍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





