[發明專利]一種基底預對準方法和裝置以及一種光刻機

有效

• 申請號: 201711046776.7
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN109725506B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 田翠俠;孫偉旺;杜榮
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備（集團）股份有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

本發明提供的一種基底預對準方法和裝置以及一種光刻機，所述基底預對準方法包括選取基準基底，獲取所述基準基底的圖像；獲取待預對準基底的圖像；將所述待預對準基底的圖像與所述基準基底的圖像進行配準，得出完成配準的預對準基底的圖像的偏移參數；根據所述偏移參數調整所述待預對準基底的角度，完成基底預對準；所述基底預對準裝置包括定位裝置，圖像采集分析裝置以及控制裝置。使用本發明提供的一種基底預對準方法和裝置以及一種光刻機，無需在基底上進行特定的標記便可實現對基底的預對準操作，通用性更強，有利于提高生產效率。

技術領域

本發明涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種基底預對準方法和裝置以及一種光刻機。

背景技術

在復雜的光刻機中，各個分系統的協調工作都是為了將基底精確放置在曝光臺上，以便掩模板上的電路圖能被精確曝光在基底指定的位置。但由于基底在傳輸的過程中方向是隨機的，不可避免的與指定的基底曝光位置和曝光方向存在偏差，在光刻機中加入基底預對準系統能夠很好的調節這種偏差。

現有的基底預對準系統主要通過在基底上進行定位標記，將基底定心后通過精確定位基底上的標記，將基底轉移到指定角度，從而實現調節上述偏差的目的。但TSV(硅通孔)工藝基底的工藝復雜，且不同基底采用的標記類型也不一樣，這就導致狹義的標記識別和定位方法無法適用于所有類型的基底，而廣義的標記識別和定位方法又無法適用于TSV基底的部分工藝層。因此設計一種不依賴于基底標記信號的基底預對準方法已成為業界亟待解決的技術問題。

發明內容

本發明提供一種基底預對準方法和裝置以及一種光刻機，以克服上述技術缺陷。

為解決上述技術問題，本發明的提供一種基底預對準方法，包括如下步驟：

選取基準基底，獲取所述基準基底的圖像；

獲取待預對準基底的圖像；

將所述待預對準基底的圖像與所述基準基底的圖像進行配準，得出完成配準的預對準基底的圖像的偏移參數；

根據所述偏移參數調整所述待預對準基底的角度，完成基底預對準。

可選地，將所述待預對準基底的圖像與所述基準基底的圖像進行配準的過程具體包括：

步驟31：提取所述基準基底圖像的特征點作為參照特征點集；

步驟32：提取所述待預對準基底圖像的特征點作為配準特征點集；

步驟33：將所述配準特征點集配準至所述參照特征點集使兩者重合提取所述基準基底圖像中的多個特征點以構成參照特征點集；

提取所述待預對準基底圖像中的多個特征點以構成配準特征點集；

將所述配準特征點集配準至所述參照特征點集以使兩者重合。

可選地，所述特征點包括斑點和/或角點。

可選地，利用ICP算法將所述配準特征點集配準至所述參照特征點集。

可選地，所述利用ICP算法將所述配準特征點集配準至所述參照特征點集的過程包括：計算所述參照特征點集中與所述配準特征點集中的每個配準特征點最近的參照特征點；計算出每個配準特征點和與其對應的最近的參照特征點之間平均距離最小的剛體變換并得出偏移參數；對所述配準特征點集使用所述偏移參數得出新的變換點集；迭代計算直至所述變換點集和所述參照特征點集間的平均距離小于設定的閾值，完成配準。

可選地，采用K-D樹算法計算所述參照特征點集中與所述配準特征點集中的每個配準特征點最近的參照特征點。

可選地，在計算所述參照特征點集中與所述配準特征點集中的每個配準特征點最近的參照特征點后還利用RANSAC算法在所述最近的參照特征點中去除錯誤的參照特征點。