[發明專利]一種發光二極管芯片的返工方法

在審

• 申請號: 201711043940.9
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108133981A
• 公開（公告）日: 2018-06-08
• 發明（設計）人: 李偉
• 申請（專利權）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

本發明公開了一種發光二極管芯片的返工方法，屬于半導體技術領域。所述返工方法包括：提供一半導體器件，半導體器件用于形成至少一個發光二極管芯片，半導體器件的第一表面上設有DBR；將半導體器件的第二表面粘附在面板上，第二表面為與第一表面相反的表面；采用濕法腐蝕技術將DBR從第一表面上去除；將半導體器件與面板分離；在已去除DBR的所述第一表面上重新形成DBR。本發明通過先將半導體器件沒有設置DBR的表面粘附在面板上，以利用面板和粘合劑對半導體器件的表面進行保護，再采用濕法腐蝕技術將半導體器件上的DBR去除，不會造成破片，可以避免產品直接報廢帶來的損失。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片的返工方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)是一種可以把電能轉化成光能的半導體二極管。芯片是LED的核心組件，包括外延片和設置在外延片上的電極。

LED外延片目前常用的材料是以氮化鎵為代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物，其具有直接帶隙寬、熱導率高、硬度大、介電常數小、抗輻射等優點。而氮化鎵基LED外延片的襯底材料通常采用藍寶石，其具有良好的熱學特性、極好的電氣特性和介電特性，并且化學性質穩定，抗腐蝕，莫式硬度達到9級，僅次于金剛石。

現有氮化鎵基LED芯片的制作方法包括：在藍寶石襯底上沉積Ⅲ-Ⅴ族氮化物，形成外延片；在外延片上設置電極，形成芯片的半成品；對半成品進行裂片，得到多個相互獨立的芯片。

由于藍寶石襯底的厚度較大，不能直接切割，加上藍寶石襯底的厚度較大會影響芯片散熱，因此在裂片之前，會先對藍寶石襯底進行減薄。具體包括：通過上蠟將半成品中電極所在的表面進行固定；采用含金剛石的砂輪對半成品中藍寶石襯底所在的表面進行粗磨；采用包括微米級的金剛石粉末和油性物質的鉆石液對半成品中藍寶石襯底所在的表面進行細磨；采用包括納米級的氧化鋁顆粒和二氧化硅顆粒、以及水溶性物質的拋光液對半成品中藍寶石襯底所在的表面進行精磨；對半成品進行下蠟和清洗。

另外，為了提高芯片的出光效率，在對藍寶石襯底進行減薄之后，還會在藍寶石襯底上設置分布式布拉格發射鏡(英文：Distributed Bragg Reflection，簡稱：DBR)，以對射向藍寶石襯底的光線進行反射，增加射向電極的光線。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

鉆石液中的油性物質和拋光液中的納米級顆粒在精磨后水清洗的過程中可能殘留在半成品中藍寶石襯底所在的表面上。下蠟是通過加熱使蠟融化，殘留在藍寶石襯底上的物質會在加熱的過程中牢牢粘附在在藍寶石襯底上，在后續的有機清洗過程中無法去除。在這樣的藍寶石襯底上設置的DBR上會出現大面積臟污，同時DBR本身的設置也可能出現問題，如設置不牢固、反射效果差等，在這些情況下都需要進行返工，先將設置在藍寶石襯底上的DBR去除，再在藍寶石襯底上重新設置DBR。

目前去除DBR主要采用研磨的方式，但是藍寶石襯底和Ⅲ-Ⅴ族氮化物之間晶格失配產生的應力會在藍寶石襯底減薄的過程中釋放出來，造成藍寶石襯底減薄之后的芯片出現翹曲，重新粘片去除DBR時很難將芯片表面壓平，芯片的表面凹凸不平，研磨去除DBR的過程中很容易造成破片，從而導致產品直接報廢。即使沒有破片，在完全去除DBR的過程中，芯片表面凸起的部分也會被一并去除，導致芯片的厚度不均勻。

發明內容

為了解決現有技術導致產品直接報廢的問題，本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的返工方法。所述技術方案如下：

本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的返工方法，所述返工方法包括：

提供一半導體器件，所述半導體器件用于形成至少一個發光二極管芯片，所述半導體器件的第一表面上設有分布式布拉格反射鏡DBR；