[發明專利]一種發光二極管芯片的返工方法在審
| 申請號： | 201711043940.9 | 申請日： | 2017-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN108133981A | 公開（公告）日： | 2018-06-08 |
| 發明（設計）人： | 李偉 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 第一表面 發光二極管芯片 返工 第二表面 濕法腐蝕 去除 半導體技術領域 表面粘附 粘合劑 破片 粘附 報廢 | ||
1.一種發光二極管芯片的返工方法，其特征在于，所述返工方法包括：
提供一半導體器件，所述半導體器件用于形成至少一個發光二極管芯片，所述半導體器件的第一表面上設有分布式布拉格反射鏡DBR；
將所述半導體器件的第二表面粘附在面板上，所述第二表面為與所述第一表面相反的表面；
采用濕法腐蝕技術將所述DBR從所述第一表面上去除；
將所述半導體器件與所述面板分離；
在已去除所述DBR的第一表面上重新形成DBR。
2.根據權利要求1所述的返工方法，其特征在于，所述DBR包括多個第一金屬氧化物薄膜和多個第二金屬氧化物薄膜，所述多個第一金屬氧化物薄膜和所述多個第二金屬氧化物薄膜交替層疊設置，所述第一金屬氧化物薄膜的折射率與所述第二金屬氧化物薄膜的折射率不同。
3.根據權利要求2所述的返工方法，其特征在于，所述采用濕法腐蝕技術將所述DBR從所述第一表面上去除，包括：
將所述半導體器件浸泡在氫氟酸溶液中，直到所述第一表面上的DBR完全去除。
4.根據權利要求3所述的返工方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的濃度為5％～70％。
5.根據權利要求1～4任一項所述的返工方法，其特征在于，所述將所述半導體器件的第二表面粘附在面板上，包括：
對所述面板進行加熱，并在所述面板上鋪設一層蠟；
將所述半導體器件的第二表面壓在所述蠟上；
對所述面板進行冷卻，使所述半導體器件的第二表面粘附在面板上。
6.根據權利要求5所述的返工方法，其特征在于，所述將所述半導體器件與所述面板分離，包括：
對所述面板進行加熱，將所述半導體器件和所述面板分開；
采用有機溶劑去除所述半導體器件上的蠟。
7.根據權利要求6所述的返工方法，其特征在于，在所述采用有機溶劑去除所述半導體器件上的蠟之后，所述返工方法還包括：
對所述第一表面進行檢查，確認所述第一表面上的DBR是否完全去除；
對所述第二表面進行檢查，確認所述第二表面上的蠟是否完全去除。
8.根據權利要求1～4任一項所述的返工方法，其特征在于，在所述采用濕法腐蝕技術將所述DBR從所述第一表面上去除之后，所述返工方法還包括：
采用水對所述半導體器件進行沖洗。
9.根據權利要求8所述的返工方法，其特征在于，在所述采用水對所述半導體器件進行沖洗之后，所述返工方法還包括：
對所述半導體器件進行拋光。
10.根據權利要求1～4任一項所述的返工方法，其特征在于，在所述在已去除所述DBR的所述第一表面上重新形成DBR之后，所述返工方法還包括：
采用紫外分光光度計測試重新形成的DBR的反射率；
在所述半導體器件固定時，對重新形成的DBR施加推力，測試重新形成的DBR的粘附性，所述推力的方向與所述第一表面平行。
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