[發明專利]一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201711042185.2 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107845664B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 金慧俊 | 申請(專利權)人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201100 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,屬于顯示技術領域,包括:顯示區和圍繞顯示區的非顯示區;顯示區包括多條柵極線、多條數據線、多個像素;像素包括開關晶體管、驅動晶體管、電容元件和有機發光二極管;開關晶體管包括開關有源層,開關有源層的材料包括非晶硅;驅動晶體管包括驅動有源層,驅動有源層的材料包括多晶硅。相對于現有技術,可以減小開關晶體管的漏電流,不影響陣列基板的正常工作,提升顯示品質。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,更具體地,涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱OLED)又稱為有機電激光顯示、有機發光半導體。OLED顯示技術具有自發光、廣視角、高對比度、低耗電、相應速度快等優點。OLED顯示技術成為顯示技術的重要研發方向之一。
現有技術提供的OLED顯示面板中,包括多個像素,像素包括有機發光二極管,有機發光二極管包括陽極、陰極、以及設置在陽極和陰極之間的有機發光材料層。向陽極和陰極分別施加適當的電壓,陽極空穴與陰極電子就會在有機發光材料層中結合,產生光亮。
為了驅動有機發光二極管發光,像素中設置有像素驅動電路,像素驅動電路包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)等電路元件。
已知的,薄膜晶體管在工作時包括開態和關態。開態的大電流承相著充放電的功能,電流越大,充放電越快越充分,所以,開態電流Ion也叫工作電流,開態電流Ion越大越好。關態的小電流影響著漏電的快慢程度,理想的薄膜晶體管應該在關態沒有電流,所以,關態電流Ioff也叫漏電流,關態電流Ioff越小越好。
已知的,薄膜晶體管包括半導體層。半導體層的材料可以選用非晶硅、多晶硅或者金屬氧化物,由于非晶硅的電子遷移率較低,其開態電流Ion和關態電流Ioff都較小,驅動有機發光二極管發光的能力較差,因此,現有技術提供的OLED顯示面板中,像素驅動電路中的薄膜晶體管均使用多晶硅或者金屬氧化物制作半導體層。
但是,多晶硅薄膜晶體管或者金屬氧化物薄膜晶體管的關態電流Ioff較大,即為像素驅動電路中漏電流較大,會影響顯示面板的正常工作,降低了顯示品質。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
本發明提供了一種陣列基板,包括:顯示區和圍繞顯示區的非顯示區;顯示區包括多條柵極線、多條數據線、多個像素;像素包括開關晶體管、驅動晶體管、電容元件和有機發光二極管;其中,開關晶體管的柵極與柵極線電連接,開關晶體管的第一極與數據線電連接,開關晶體管的第二極與第一節點電連接;驅動晶體管的柵極與第一節點電連接,驅動晶體管的第一極與第一電壓源電連接,驅動晶體管的第二極與第二節點電連接;電容元件的第一極板與第一節點電連接,電容元件的第二極板與第二節點電連接;有機發光二極管與第二節點電連接;開關晶體管包括開關有源層,開關有源層的材料包括非晶硅;驅動晶體管包括驅動有源層,驅動有源層的材料包括多晶硅。
在一些可選的實施例中,驅動晶體管為底柵結構。
在一些可選的實施例中,驅動有源層的電子遷移率為P1,開關有源層的電子遷移率為P2,其中,P1/P2≥10。
在一些可選的實施例中,10平方厘米/(伏·秒)≤P1≤100平方厘米/(伏·秒);0.2平方厘米/(伏·秒)≤P2≤1.5平方厘米/(伏·秒)。
在一些可選的實施例中,驅動有源層的厚度小于開關有源層的厚度。
在一些可選的實施例中,驅動有源層的厚度小于等于
在一些可選的實施例中,驅動有源層的面積小于開關有源層的面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





