[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711042185.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107845664B | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金慧俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海中航光電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201100 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的非顯示區(qū);
所述顯示區(qū)包括多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素;所述像素包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、電容元件和有機(jī)發(fā)光二極管;其中,
所述開關(guān)晶體管的柵極與所述柵極線電連接,所述開關(guān)晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)線電連接,所述開關(guān)晶體管的第二極與第一節(jié)點(diǎn)電連接;
所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述第一節(jié)點(diǎn)電連接,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與第一電壓源電連接,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與第二節(jié)點(diǎn)電連接;
所述電容元件的第一極板與所述第一節(jié)點(diǎn)電連接,所述電容元件的第二極板與所述第二節(jié)點(diǎn)電連接;
所述有機(jī)發(fā)光二極管與所述第二節(jié)點(diǎn)電連接;
所述開關(guān)晶體管包括開關(guān)有源層,所述開關(guān)有源層的材料包括非晶硅;
所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括驅(qū)動(dòng)有源層,所述驅(qū)動(dòng)有源層的材料包括多晶硅;
所述驅(qū)動(dòng)有源層的電子遷移率為P1,所述開關(guān)有源層的電子遷移率為P2,其中,P1/P2≥10;
所述驅(qū)動(dòng)有源層的面積小于所述開關(guān)有源層的面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述驅(qū)動(dòng)晶體管為底柵結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
10平方厘米/(伏·秒)≤P1≤100平方厘米/(伏·秒);
0.2平方厘米/(伏·秒)≤P2≤1.5平方厘米/(伏·秒)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述驅(qū)動(dòng)有源層的厚度小于所述開關(guān)有源層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,
所述驅(qū)動(dòng)有源層的厚度小于等于
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述驅(qū)動(dòng)有源層的外邊緣形狀包括矩形、圓角矩形、圓形或者橢圓形中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述像素還包括第二晶體管;其中,
所述第二晶體管的柵極與補(bǔ)償控制線電連接,所述第二晶體管的第一極與所述第二節(jié)點(diǎn)電連接,所述第二晶體管的第二極與參考電壓信號(hào)線電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,
所述第二晶體管包括第二有源層,所述第二有源層的材料包括非晶硅。
9.一種顯示面板,包括根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置,包括根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





