[發(fā)明專利]晶振焊接方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711039151.8
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN109727879A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宿志影
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫

本發(fā)明的晶振焊接方法，包括：提供金屬引線框，所述金屬引線框設(shè)有支撐臺(tái)階；提供晶振片；在所述金屬引線框的所述支撐臺(tái)階上涂布焊料并烘干；放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接。該焊接方法焊接溫度低、效率高、可靠性好、成本低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片焊接封裝，尤其涉及一種晶振焊接方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體芯片通常是由眾多晶體管組成的可以完成一定功能的集成電路，通常一塊芯片需要外部時(shí)鐘提供準(zhǔn)確的時(shí)鐘頻率，為保證集成電路的功能可靠，向電路提供的時(shí)鐘頻率必須穩(wěn)定可靠。現(xiàn)有的芯片一般是安裝在電路板上時(shí)，由外部的晶振提供時(shí)鐘頻率，但這樣的由外部晶振提供時(shí)鐘的芯片，一來芯片和晶振都會(huì)占據(jù)一定的空間，整個(gè)電路占據(jù)的面積比較大，集成度不高，二來由于晶體和芯片是分開的，其工作環(huán)境始終會(huì)有差別，使得晶體與芯片的配合會(huì)存在誤差，影響芯片的穩(wěn)定性。而且現(xiàn)有的芯片采用的晶振通常是貼片晶振，但由于貼片晶振的成本較高，不利于降低整個(gè)芯片的成本。

因此，亟待一種改進(jìn)的晶振焊接方法以克服以上缺陷。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種焊接溫度低、效率高、可靠性好、成本低的晶振焊接方法。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的晶振焊接方法，包括：

提供金屬引線框，所述金屬引線框設(shè)有支撐臺(tái)階；

提供晶振片；

在所述金屬引線框的所述支撐臺(tái)階上涂布焊料并烘干；

放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的焊接方法焊接溫度低、效率高、可靠性好、成本低，該方法不需金屬化，也不需要昂貴的真空鍍膜設(shè)備和貴金屬靶材，且沒有中間處理過程長而復(fù)雜、費(fèi)時(shí)的缺陷，縮短總的焊接時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明的焊接在真空時(shí)一次即可完成，對焊接設(shè)備要求極低，焊接效率高、成本低，產(chǎn)品焊接可靠性和良品率高，可以確保超高頻電真空器件氣密性要求。

較佳地，所述晶振片的厚度等于所述晶振片與所述金屬引線框徑向配合間隙。

較佳地，所述焊料的涂布厚度為所述晶振片壓在所述焊料表面后高于所述金屬引線框的表面0.03mm-0.06mm。

較佳地，在焊接前提供的所述晶振片依次經(jīng)過重鉻酸鉀硫酸混合溶液清洗和表面毛化處理。

較佳地，所述支撐臺(tái)階的寬度為0.2mm-0.4mm，所述支撐臺(tái)階的側(cè)壁厚度為0.2mm-0.4mm。

較佳地，所述焊料在110℃-130℃下進(jìn)行烘干處理5-6小時(shí)。

較佳地，所述焊料為鈦鋯銅鎳焊料。

較佳地，放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接的步驟包括：將放置好的所述晶振片和所述金屬引線框放置在真空爐中，在所述真空爐的真空度小于6.65×10^-3Pa時(shí)進(jìn)行加熱焊接。

較佳地，放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接的步驟之后，還包括對所述晶振片、所述金屬引線框和所述焊料之間的間隙進(jìn)行補(bǔ)焊。

附圖說明

圖1為本發(fā)明晶振焊接方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

圖2為本發(fā)明晶振焊接方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明的晶振焊接方法作進(jìn)一步說明，但不因此限制本發(fā)明。

請參考圖1，本發(fā)明的晶振焊接方法的一個(gè)實(shí)施例包括以下步驟：

S101，提供金屬引線框，金屬引線框設(shè)有支撐臺(tái)階；