[發(fā)明專利]晶振焊接方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711039151.8 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109727879A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宿志影 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 東莞新科技術(shù)研究開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/60 | 分類號(hào)： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 焊接 金屬引線框 支撐臺(tái)階 晶振片 晶振 涂布焊料 烘干 | ||
1.一種晶振焊接方法，包括：
提供金屬引線框，所述金屬引線框設(shè)有支撐臺(tái)階；
提供晶振片；
在所述金屬引線框的所述支撐臺(tái)階上涂布焊料并烘干；及
放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接。
2.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述晶振片的厚度等于所述晶振片與所述金屬引線框徑向配合間隙。
3.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述焊料的涂布厚度為所述晶振片壓在所述焊料表面后高于所述金屬引線框的表面0.03mm-0.06mm。
4.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：在焊接前提供的所述晶振片依次經(jīng)過(guò)重鉻酸鉀硫酸混合溶液清洗和表面毛化處理。
5.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述支撐臺(tái)階的寬度為0.2mm-0.4mm，所述支撐臺(tái)階的側(cè)壁厚度為0.2mm-0.4mm。
6.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述焊料在110℃-130℃下進(jìn)行烘干處理5-6小時(shí)。
7.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：所述焊料為鈦鋯銅鎳焊料。
8.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接的步驟包括：將放置好的所述晶振片和所述金屬引線框放置在真空爐中，在所述真空爐的真空度小于6.65×10-3Pa時(shí)進(jìn)行加熱焊接。
9.如權(quán)利要求1所述的晶振焊接方法，其特征在于：放置所述晶振片于所述支撐臺(tái)階上進(jìn)行焊接的步驟之后，還包括對(duì)所述晶振片、所述金屬引線框和所述焊料之間的間隙進(jìn)行補(bǔ)焊。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
