[發明專利]逆導型絕緣柵雙極型晶體管及其制作方法、電力電子設備

有效

• 申請號: 201711034355.2
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107845673B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 何昌
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，包括集電極金屬、位于所述集電極金屬前側且交替排列的第一P型集電區和N型集電區，以及對應設置在每個所述N型集電區前側的第二P型集電區，所述第二P型集電區與所述N型集電區相對設置，所述集電極金屬通過貫穿所述N型集電區的接觸孔槽與所述第二P型集電區連接；

所述N型集電區包括位于相鄰兩個所述第一P型集電區之間的第一部分，以及位于所述第一P型集電區和所述第二P型集電區之間的第二部分，所述接觸孔槽貫穿所述第一部分和所述第二部分。

2.如權利要求1所述的逆導型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述N型集電區包括位于相鄰兩個所述第一P型集電區之間的第一部分，以及位于所述第一P型集電區和所述第二P型集電區之間的第二部分，所述接觸孔槽貫穿所述所述第一部分和所述第二部分。

3.如權利要求1所述的逆導型絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，還包括位于所述第一P型集電區和所述第二P型集電區前側的N型緩沖層。

4.一種電力電子設備，其特征在于，包括如權利要求1～3任一項任一項所述的逆導型絕緣柵雙極型晶體管。

5.一種如權利要求1所述逆導型絕緣柵雙極型晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

對N型半導體襯底背側預形成第二P型集電區的區域進行P型摻雜注入處理，形成P型摻雜注入區；

對完成上述步驟的半導體片背側預形成第二P型集電區的區域進行N型摻雜注入處理，形成N型摻雜注入區；完成該步驟后，P型摻雜注入區調整為第二P型集電區；

對完成上述步驟的半導體片背側預形成第一P型集電區的區域進行P型摻雜注入處理，形成第一P型集電區；完成該步驟后，N型摻雜注入區調整為N型集電區；

對完成上述步驟的半導體片背側進行刻蝕，形成貫穿N型集電區并通向第二P型集電區的接觸孔槽；

在完成上述步驟的半導體片背側形成通過接觸孔槽與第二P型集電區連接的集電極金屬。

6.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，當所述N型集電區包括位于相鄰兩個所述第一P型集電區之間的第一部分，以及位于所述第一P型集電區和所述第二P型集電區之間的第二部分，所述接觸孔槽貫穿所述所述第一部分和所述第二部分時：

所述對完成上述步驟的半導體片背側預形成第一P型集電區的區域進行P型摻雜注入處理的步驟中，所使用掩模板的遮擋區與所述第一部分位置對應。

7.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述對N型半導體襯底背側預形成第二P型集電區的區域進行P型摻雜注入處理的步驟之前，所述制作方法還包括：

對N型半導體襯底背側進行減薄處理。

8.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，

在所述對N型半導體襯底背側預形成第二P型集電區的區域進行P型摻雜注入處理的步驟之前，所述制作方法還包括：

在N型半導體襯底背側形成N型緩沖層。