[發(fā)明專利]單面濕法黑硅硅片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711034094.4
• 申請(qǐng)日: 2017-10-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107887459B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮龍飛;金善明;張喜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州協(xié)鑫光伏科技有限公司;蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0236
• 分類號(hào): H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王樂(lè)

本發(fā)明涉及一種單面濕法黑硅硅片，采用單面濕法黑硅硅片的制備方法制備得到，包括如下步驟：將若干個(gè)硅片以兩兩相并的方式放置，其中，兩兩相并的兩個(gè)硅片之間的距離為0.1mm～3mm；采用動(dòng)態(tài)反應(yīng)對(duì)硅片進(jìn)行雙面拋光，得到雙面拋光后的硅片；采用濕法刻蝕對(duì)雙面拋光后的硅片進(jìn)行單面制絨，其中，濕法刻蝕中的反應(yīng)過(guò)程均靜置，得到單面制絨后的硅片；以及將兩兩相并的單面制絨后的硅片進(jìn)行分離，得到單面濕法黑硅硅片。由于硅片以兩兩相并的方式放置以進(jìn)行雙面拋光以及單面制絨，且濕法刻蝕中的反應(yīng)過(guò)程均靜置，能夠阻止在硅片背面形成絨面結(jié)構(gòu)。因此，分離之后能夠直接得到單面濕法黑硅硅片，無(wú)需后續(xù)再去除硅片背面的絨面，從而簡(jiǎn)化了制備方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅片技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種單面濕法黑硅硅片。

背景技術(shù)

黑硅技術(shù)由于陷光效果好、能大幅提升多晶硅片的轉(zhuǎn)化效率、并能解決金剛線切多晶硅片的絨面難題，廣受多晶電池廠家的青睞。然而，傳統(tǒng)的濕法黑硅硅片的兩面均為黑硅絨面。但是在電池的制造中，背面的絨面結(jié)構(gòu)對(duì)電池沒(méi)有任何作用，反而會(huì)影響其背鋁的鈍化效果，所以在電池制備中，硅片背面的黑硅絨面需要被去除。因此，傳統(tǒng)的槽式濕法黑硅的工藝復(fù)雜，不利于應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要針對(duì)如何簡(jiǎn)化濕法黑硅工藝的問(wèn)題，提供一種能夠簡(jiǎn)化制備方法的單面濕法黑硅硅片。

一種單面濕法黑硅硅片，采用單面濕法黑硅硅片的制備方法制備得到，單面濕法黑硅硅片的制備方法包括如下步驟：

將若干個(gè)硅片以兩兩相并的方式放置，其中，兩兩相并的兩個(gè)硅片之間的距離為0.1mm～3mm；

采用動(dòng)態(tài)反應(yīng)對(duì)所述硅片進(jìn)行雙面拋光，得到雙面拋光后的硅片；

采用濕法刻蝕對(duì)所述雙面拋光后的硅片進(jìn)行單面制絨，其中，濕法刻蝕中的反應(yīng)過(guò)程均靜置，得到單面制絨后的硅片；以及

將兩兩相并的所述單面制絨后的硅片進(jìn)行分離，得到單面濕法黑硅硅片。

本發(fā)明的單面濕法黑硅硅片采用上述單面濕法黑硅硅片的制備方法制備得到，由于硅片以兩兩相并的方式放置以進(jìn)行雙面拋光以及單面制絨，且濕法刻蝕中的反應(yīng)過(guò)程均靜置，能夠阻止在硅片背面形成絨面結(jié)構(gòu)。因此，分離之后能夠直接得到單面濕法黑硅硅片，無(wú)需后續(xù)再去除硅片背面的絨面，從而簡(jiǎn)化了制備方法，有利于應(yīng)用。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述硅片進(jìn)行雙面拋光的步驟中，采用堿拋光液進(jìn)行雙面拋光，所述堿拋光液的濃度為2％～30％，拋光溫度為30℃～90℃，拋光時(shí)間為1min～10min。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述硅片進(jìn)行雙面拋光的步驟中，采用酸拋光液進(jìn)行雙面拋光，所述酸拋光液為硝酸和氫氟酸的混合溶液，其中，HNO₃與HF的摩爾比為1:1～3:1。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)所述硅片進(jìn)行雙面拋光之后，還包括以下步驟：

依次對(duì)雙面拋光后的硅片進(jìn)行第一次純水清洗、酸清洗以及第二次純水清洗；

其中，進(jìn)行第一次純水清洗的時(shí)間為50s～200s；采用1％～6％的硝酸溶液或者硫酸溶液進(jìn)行酸清洗，酸清洗的時(shí)間為20s～200s；進(jìn)行第二次純水清洗的時(shí)間為50s～200s。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，采用濕法刻蝕對(duì)所述雙面拋光后的硅片進(jìn)行單面制絨的步驟為：

在靜置條件下，對(duì)所述雙面拋光后的硅片進(jìn)行金屬納米顆粒沉積，得到外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片；

在靜置條件下，對(duì)所述外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片進(jìn)行金屬納米顆粒輔助刻蝕，得到外表面具有納米孔結(jié)構(gòu)的硅片；以及

在靜置條件下，對(duì)所述外表面具有納米孔結(jié)構(gòu)的硅片進(jìn)行酸刻蝕，得到外表面具有亞微米孔結(jié)構(gòu)的硅片。