[發明專利]單面濕法黑硅硅片

有效

• 申請號: 201711034094.4
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107887459B
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 宮龍飛;金善明;張喜
• 申請（專利權）人: 揚州協鑫光伏科技有限公司;蘇州協鑫光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0236
• 分類號: H01L31/0236;H01L31/18
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王樂

1.一種單面濕法黑硅硅片，其特征在于，采用單面濕法黑硅硅片的制備方法制備得到，所述單面濕法黑硅硅片的制備方法包括如下步驟：

將若干個硅片以兩兩相并的方式放置，其中，兩兩相并的兩個硅片之間的距離為0.1mm～3mm；

采用動態反應對所述硅片進行雙面拋光，得到雙面拋光后的硅片；

采用濕法刻蝕對所述雙面拋光后的硅片進行單面制絨，其中，濕法刻蝕中的反應過程均靜置，得到單面制絨后的硅片；以及

將兩兩相并的所述單面制絨后的硅片進行分離，得到單面濕法黑硅硅片；

對所述硅片進行雙面拋光的步驟中，采用堿拋光液或者酸拋光液進行雙面拋光；

其中，動態反應為雙面拋光的過程中采用鼓泡或者循環方式。

2.根據權利要求1所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，對所述硅片進行雙面拋光的步驟中，采用堿拋光液進行雙面拋光，所述堿拋光液的濃度為2％～30％，拋光溫度為30℃～90℃，拋光時間為1min～10min。

3.根據權利要求1所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，對所述硅片進行雙面拋光的步驟中，采用酸拋光液進行雙面拋光，所述酸拋光液為硝酸和氫氟酸的混合溶液，其中，HNO₃與HF的摩爾比為1:1～3:1。

4.根據權利要求1所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，對所述硅片進行雙面拋光之后，還包括以下步驟：

依次對雙面拋光后的硅片進行第一次純水清洗、酸清洗以及第二次純水清洗；

其中，進行第一次純水清洗的時間為50s～200s；采用1％～6％的硝酸溶液或者硫酸溶液進行酸清洗，酸清洗的時間為20s～200s；進行第二次純水清洗的時間為50s～200s。

5.根據權利要求1所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，采用濕法刻蝕對所述雙面拋光后的硅片進行單面制絨的步驟為：

在靜置條件下，對所述雙面拋光后的硅片進行金屬納米顆粒沉積，得到外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片；

在靜置條件下，對所述外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片進行金屬納米顆粒輔助刻蝕，得到外表面具有納米孔結構的硅片；以及

在靜置條件下，對所述外表面具有納米孔結構的硅片進行酸刻蝕，得到外表面具有亞微米孔結構的硅片。

6.根據權利要求5所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，在靜置條件下，對所述雙面拋光后的硅片進行金屬納米顆粒沉積的步驟為：將所述雙面拋光后的硅片浸入氫氟酸與可溶性金屬鹽溶液的混合溶液中，靜置反應之后在所述雙面拋光后的硅片外表面沉積有金屬納米顆粒；

其中，所述氫氟酸的濃度為0.5％～3％；所述可溶性金屬鹽溶液中金屬離子的摩爾濃度為1E-4mol/L～1E-2mol/L；反應溫度為20℃～30℃。

7.根據權利要求5所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，在靜置條件下，對所述外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片進行金屬納米顆粒輔助刻蝕的步驟為：將所述外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片浸入雙氧水和氫氟酸的混合溶液中，靜置反應之后在所述外表面沉積有金屬納米顆粒的硅片外表面形成納米孔結構；

其中，所述雙氧水的濃度為20％～45％；所述氫氟酸的濃度為5％～15％，反應溫度為25℃～45℃。

8.根據權利要求5所述的單面濕法黑硅硅片，其特征在于，在靜置條件下，對所述外表面具有納米孔結構的硅片進行酸刻蝕的步驟為：將所述外表面具有納米孔結構的硅片浸入硝酸溶液和氫氟酸的混合溶液中，靜置反應之后在所述外表面具有納米孔結構的硅片外表面形成亞微米孔結構；

其中，所述硝酸溶液的濃度為20％～60％；所述氫氟酸的濃度為2％～12％；反應溫度為5℃～20℃。