[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置和電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711033090.4 | 申請日: | 2013-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN107833897B | 公開(公告)日: | 2022-03-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 柳田剛志;馬渕圭司 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 衛(wèi)李賢;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固態(tài) 成像 裝置 電子設備 | ||
這里描述固態(tài)成像裝置以及制造固態(tài)成像裝置的方法。作為示例,該固態(tài)成像裝置包括形成在傳感器基板上的第一配線層和形成在電路基板上的第二配線層。傳感器基板連接到電路基板,第一配線層和第二配線層設置在傳感器基板和電路基板之間。第一電極形成在第一配線層的表面上,并且第二電極形成在第二配線層的表面上。第一電極與第二電極電接觸。
本申請是申請日為2013年07月08日、申請?zhí)枮?01380036841.1、發(fā)明名稱為“固態(tài)成像裝置和電子設備”的專利申請的分案申請。
技術領域
本公開涉及背照式固態(tài)成像裝置以及具有該固態(tài)成像裝置的電子設備。
背景技術
在固態(tài)成像裝置中,在針對于改善光電轉換效率或者入射光的靈敏度的同時,還提出了所謂的背照式結構,其中驅動電路形成在半導體基板的表面?zhèn)惹冶趁鎮(zhèn)仁枪饨邮毡砻妗A硗猓似渲行纬晒怆娹D換元件的半導體基板外,還提出了三維(3D)結構,其中制備具有驅動電路形成其上的電路基板且連接到與半導體基板的光接收表面相反的面。例如,提出了一種構造,其中光敏二極管(PD)、浮置擴散(FD)以及轉移柵極和轉移晶體管之外的像素晶體管形成在彼此不同的基板上,并且該基板彼此接合(例如,見PTL 1).
[引用列表]
[專利文件]
[PTL 1]
日本未審查專利申請公開(PCT申請的翻譯)No.2011-517506
發(fā)明內容
[技術問題]
在具有其中基板彼此接合的上述構造的背照式固態(tài)成像裝置中,要求通過改善基板之間的連接可靠性而改善固態(tài)裝置的可靠性。
所希望的是提供可改善可靠性的固態(tài)成像裝置和電子設備。
[解決問題的技術方案]
這里描述固態(tài)成像裝置和制造固態(tài)成像裝置的方法。作為示例,固態(tài)成像裝置包括形成在傳感器基板上的第一配線層和形成在電路基板上的第二配線層。傳感器基板連接到電路基板,第一配線層和第二配線層設置在傳感器基板和電路基板之間。第一電極形成在第一配線層的表面上,并且第二電極形成在第二配線層的表面上。第一電極與第二電極電接觸。
作為進一步的示例,制造固態(tài)成像裝置的方法包括在傳感器基板上形成第一配線層、在電路基板上形成第二配線層、在第一配線層的表面上形成第一電極、在第二配線層的表面上形成第二電極、以及連接傳感器基板到電路基板,第一配線層和第二配線層設在傳感器基板和電路基板之間。
根據(jù)上述固態(tài)成像裝置,光敏二極管和浮置擴散形成在第一半導體基板上,并且第二晶體管形成在第二半導體基板上。連接第二晶體管與浮置擴散的浮置擴散配線由第一電極和第二電極連接。這樣,在浮置擴散配線中,第一半導體基板和第二半導體基板之間的連接表面與第一電極和第二電極結合,并且因此改善了配線的結合可靠性和基板之間的結合可靠性。因此,可改善固態(tài)成像裝置和具有固態(tài)成像裝置的電子設備的可靠性。
[本發(fā)明的有益效果]
根據(jù)本公開,能改善固態(tài)成像裝置和電子設備的可靠性。
附圖說明
圖1是示出應用本公開的固態(tài)成像裝置示例的示意性構造圖。
圖2是示出像素單元的平面設置的示意圖,該像素單元包括根據(jù)本公開第一實施例的固態(tài)成像裝置的四像素共享單元。
圖3是圖2所示像素單元的III-III線截面的構造。
圖4A是示出第一電極和第二電極構造的示意圖。
圖4B是示出第一電極和第二電極構造的示意圖。
圖4C是示出第一電極和第二電極構造的示意圖。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





