[發明專利]固態成像裝置和電子設備

有效

• 申請號: 201711033090.4
• 申請日: 2013-07-08
• 公開（公告）號: CN107833897B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 柳田剛志;馬渕圭司
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 衛李賢;曹正建

1.一種光檢測裝置，包括：

第一部分，包括像素單元和第一配線層；

第二部分，包括第二配線層和放大晶體管，

其中，像素單元包括第一光電二極管、第二光電二極管、第三光電二極管、第四光電二極管、浮置擴散部、第一轉移柵極、第二轉移柵極、第三轉移柵極和第四轉移柵極，

其中，第一光電二極管、第二光電二極管、第三光電二極管和第四光電二極管電連接至浮置擴散部，

其中，在平面設置中，所述浮置擴散部設置在所述像素單元的中心部分并且被所述第一光電二極管、所述第二光電二極管、所述第三光電二極管和所述第四光電二極管包圍，

其中，浮置擴散部電連接到放大晶體管，并且

其中，在所述平面設置中，所述浮置擴散部與所述第一光電二極管的拐角中最靠近所述像素單元的所述中心部分的拐角的區域、所述第二光電二極管的拐角中最靠近所述像素單元的所述中心部分的拐角的區域、所述第三光電二極管的拐角中最靠近所述像素單元的所述中心部分的拐角的區域，以及所述第四光電二極管的拐角中最靠近所述像素單元的所述中心部分的拐角的區域重疊。

2.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，元件隔離單元布置在所述第一光電二極管、所述第二光電二極管、所述第三光電二極管和所述第四光電二極管的至少一部分之間。

3.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，所述浮置擴散部的第一區域設置在所述第一光電二極管的第一拐角，所述浮置擴散部的第二區域設置在所述第二光電二極管的第一拐角，所述浮置擴散部的第三區域設置在第三光電二極管的第一拐角，所述浮置擴散部的第四區域設置在第四光電二極管的第一拐角。

4.根據權利要求3所述的光檢測裝置，其中，所述浮置擴散部的第一區域、所述浮置擴散部的第二區域、所述浮置擴散部的第三區域以及所述浮置擴散部的第四區域被元件隔離單元隔離。

5.根據權利要求3所述的光檢測裝置，其中，所述浮置擴散部的第一區域、所述浮置擴散部的第二區域、所述浮置擴散部的第三區域以及所述浮置擴散部的第四區域由插塞形成。

6.根據權利要求3所述的光檢測裝置，其中，所述浮置擴散部的第五區域由配線形成。

7.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，所述第一轉移柵極設置在所述第一光電二極管的第一拐角，所述第二轉移柵極設置在所述第二光電二極管的第一拐角，所述第三轉移柵極設置在所述第三光電二極管的第一拐角，并且第四轉移柵極設置在第四光電二極管的第一拐角。

8.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，所述浮置擴散部被所述第一轉移柵極、所述第二轉移柵極、所述第三轉移柵極和所述第四轉移柵極包圍。

9.根據權利要求3所述的光檢測裝置，還包括：

第一阱設置在第一光電二極管的第二拐角處；

第二阱設置在第二光電二極管的第二拐角處；

第三阱設置在第三光電二極管的第二拐角處；

第四阱設置在第四光電二極管的第二拐角。

10.根據權利要求9所述的光檢測裝置，其中，所述第一光電二極管的所述第一拐角是與所述第一光電二極管的所述第二拐角的對角。

11.根據權利要求1所述的光檢測裝置，還包括：

阱設置在第一光電二極管中，并且其中阱電連接到接地端。

12.根據權利要求2所述的光檢測裝置，其中，所述第一光電二極管、第二光電二極管、第三光電二極管和第四光電二極管由所述元件隔離單元隔離。

13.根據權利要求1所述的光檢測裝置，其中，所述第一轉移柵極電連接至第一轉移柵極配線，所述第二轉移柵極電連接至第二轉移柵極配線，所述第三轉移柵極電連接至第三轉移柵極配線，并且第四轉移柵極電連接到第四傳輸柵極配線。