[發明專利]從形成在襯底上的固化圖案層分離納米壓印模板的設備和方法

有效

• 申請號: 201711029734.2
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN108020986B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 崔炳鎮
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 林振波

本發明涉及用于從襯底上的固化圖案層分離納米壓印模板的方法和設備，最少化了包括最終分離時刻(LPOS)缺陷在內的分離缺陷。該方法可包括：使模板和襯底相對于彼此移動，以產生施加到模板和襯底的張力；測量施加到模板和襯底的張力；判定施加到模板背側和襯底背側的壓力大小，以便減小施加張力的大?。煌ㄟ^將判定了大小的壓力施加到模板背側和襯底背側來減小施加到模板或者襯底的張力；然后重復上述步驟一次或者多次，直到模板完全從固化圖案層分離為止。設備可配置成實現上述方法。該方法和設備可有利地應用于例如模板復制處理。

技術領域

本發明大體上涉及納米制造，尤其是涉及從襯底分離納米壓印模板的方法和設備。

背景技術

納米制造包括制造非常小的結構，具有大約100納米或者更小的特征。納米制造具有相當大影響的一種應用是加工集成電路。在增加每單位面積形成于襯底上的電路的同時，半導體加工業還不斷爭取更大的產量；因此，納米制造變得愈發重要。在允許持續減小所形成結構的最小特征尺寸的同時，納米制造還提供了更多的過程控制。

當今使用的一種示例性納米制造技術通常稱作納米壓印光刻。納米壓印光刻適用于各種應用，包括但不限于例如制造集成器件層，例如CMOS邏輯電路、微處理器、NAND閃存、NOR閃存、DRAM存儲器或者其它存儲器(例如，MRAM、3D XPoint存儲器、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM等)。與依賴于投影光源(例如，i線、DUV、ArF、ArF浸沒等)的其它光刻處理不同，納米壓印光刻通過用可成形光阻材料填充設置在壓印模板(或者掩模)上的浮凸圖像，然后例如通過將紫外光施加到紫外線固化形式的光阻材料使光阻材料轉變為固體而將圖案施加到襯底。該方法的優點是，因為最終圖案不再取決于光源的波長和投影到光阻材料上的虛像，所以相對于其它光刻方法可具有更好的分辨率。在固化之后，把模板從固化了圖案的光阻材料分離。然而，模板分離本身可以是通常稱作分離缺陷的圖案缺陷的來源。分離缺陷的形式可以為例如崩塌特征或者從襯底撕裂的特征。因此，仍然需要納米壓印光刻處理中最少化分離缺陷來源的系統和方法。

發明內容

在本說明書中描述的主題的創新方面可以在以下方法中體現：一種使納米壓印模板從固化圖案層分離的方法，包括以下步驟：(a)使模板和襯底相對于彼此移動，以便產生施加到模板和襯底的張力；(b)測量施加到模板和襯底的張力；(c)判定施加到模板背側和襯底背側的壓力大小，以便減小施加張力的大?。?d)通過將確定了大小的壓力施加到模板背側和襯底背側來減小施加到模板或者襯底的張力；和(e)重復步驟(a)至(d)一次或者多次，直到模板完全從固化圖案層分離為止。這些方面的其它實施例包括配置成實施該方法步驟的相應系統和設備和通過使用這種方法生產的制造產品。

這些和其它實施例可以均可選地包括以下特征中的一個或者多個。例如，施加的張力引發了模板或者襯底彎曲并且這種彎曲還產生了存儲在模板或者襯底中的存儲能量。施加到模板背側或者襯底背側的壓力繼而抵消存儲的能量。施加到模板背側或者襯底背側的壓力繼而將張力減小至零或者低于零。在整個分離期間施加的張力低，例如，施加的張力不超過6N。在模板完全分離之后去除施加的背壓。模板是母模板并且襯底是復制模板襯底。母模板和復制襯底具有空心背側區域，或者具有相同的厚度尺寸，或者由相同的材料形成。

在本說明書中描述的主題的創新方面可以在以下設備中實施，該設備包括：配置成保持模板的模板卡盤或者模板保持架；配置成保持襯底的襯底卡盤或者襯底保持架；致動器系統，配置成調節模板和襯底相對于彼此的位置；力檢測系統，配置成檢測在模板從形成在襯底上的固化圖案層分離期間施加到模板和襯底的張力的大??；壓力系統，配置成將背壓施加到模板、襯底或者二者；和控制器，其與力檢測系統和壓力系統通訊?？刂破髋渲贸筛鶕z測到的施加到模板和襯底的張力大小來判定施加到模板背側和襯底背側的壓力大小以減小施加張力的大小，并且向壓力系統提供信號以使壓力系統將判定了大小的背壓施加到模板和襯底以便減小施加到模板的張力。這些方面的其它實施例包括由設備實施的相應方法。