[發明專利]一種功能層開孔的方法、陣列基板以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201711029246.1 | 申請日: | 2017-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN107818945B | 公開(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發明(設計)人: | 李唐求;趙瑜 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 何倚雯 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功能 層開孔 方法 陣列 以及 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種功能層開孔的方法、陣列基板以及顯示裝置,該方法包括:S1,在功能層上涂布光阻層;S2,在光阻層上至少形成一類貫穿區;其中,貫穿區為光阻層上暴露功能層的區域;S3,對功能層進行刻蝕,以在對應貫穿區的功能層上形成過孔;S4,在光阻層上形成新一類的貫穿區;S5,對功能層進行刻蝕,以在對應新一類的貫穿區的功能層上形成新的過孔,并使在本次刻蝕之前形成的過孔的深度增大;至少執行一次上述S4?S5,以形成深度不同的至少兩個過孔。通過上述方式,本發明能夠在只使用一道光阻的情況下,對功能層進行多次刻蝕工藝,以形成深度不同的多個過孔,節省了工藝流程,提高了生產效率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種功能層開孔的方法、陣列基板以及顯示裝置。
背景技術
現有的顯示面板包括多個功能層結構,其中,功能層一般可以包括金屬層、半導體層、有機層和無機層等,例如SiOx或SiNx制作形成的絕緣層。
在顯示面板的制造中,一般會在這些功能層上開孔(hole)以實現功能層、電極或導線之間的連接。在實際操作中,在某層的hole制作中,可能存在幾種不同深度的hole制作,因深度不同需要不同的Pattern(圖案)制作工藝,制造流程較為復雜。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種功能層開孔的方法、陣列基板以及顯示裝置,能夠在只使用一道光阻的情況下,對功能層進行多次刻蝕工藝,以形成深度不同的多個過孔,節省了工藝流程,提高了生產效率。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種功能層開孔的方法,該方法包括:S1,在功能層上涂布光阻層;S2,在光阻層上至少形成一類貫穿區;其中,貫穿區為光阻層上暴露功能層的區域;S3,對功能層進行刻蝕,以在對應貫穿區的功能層上形成過孔;S4,在光阻層上形成新一類的貫穿區;S5,對功能層進行刻蝕,以在對應新一類的貫穿區的功能層上形成新的過孔,并使在本次刻蝕之前形成的過孔的深度增大;至少執行一次上述S4-S5,以形成深度不同的至少兩個過孔。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種陣列基板,該陣列基板包括絕緣層,絕緣層上包括至少兩個深度不同的過孔,其中,至少兩個深度不同的過孔是采用如上的方法制作得到的。
為解決上述技術問題,本發明采用的又一個技術方案是:提供一種顯示裝置,該顯示裝置包括陣列基板,該陣列基板是如上的陣列基板。
本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明的功能層開孔的方法包括:S1,在功能層上涂布光阻層;S2,在光阻層上至少形成一類貫穿區;其中,貫穿區為光阻層上暴露功能層的區域;S3,對功能層進行刻蝕,以在對應貫穿區的功能層上形成過孔;S4,在光阻層上形成新一類的貫穿區;S5,對功能層進行刻蝕,以在對應新一類的貫穿區的功能層上形成新的過孔,并使在本次刻蝕之前形成的過孔的深度增大;至少執行一次上述S4-S5,以形成深度不同的至少兩個過孔。通過上述方式,能夠在只使用一道光阻的情況下,對功能層進行多次刻蝕工藝,以形成深度不同的多個過孔,節省了工藝流程,提高了生產效率。
附圖說明
圖1是本發明公開的功能層開孔的方法一實施例的流程示意圖;
圖2是本發明公開的功能層開孔的方法另一實施例的流程示意圖;
圖3-圖8是本發明公開的功能層開孔的方法另一實施例的工藝流程示意圖;
圖9是本發明公開的功能層開孔的方法又一實施例的流程示意圖;
圖10-圖15是本發明公開的功能層開孔的方法又一實施例的工藝流程示意圖;
圖16是本發明提供的陣列基板一實施例的結構示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





