[發(fā)明專利]一種功能層開(kāi)孔的方法、陣列基板以及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711029246.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107818945B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李唐求;趙瑜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 44280 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 何倚雯 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 功能 層開(kāi)孔 方法 陣列 以及 顯示裝置 | ||
1.一種功能層開(kāi)孔的方法,其特征在于,包括:
在所述功能層上涂布光阻層;
在所述光阻層上至少形成一類貫穿區(qū);其中,所述貫穿區(qū)為所述光阻層上暴露所述功能層的區(qū)域;其中,所述在所述光阻層上至少形成一類貫穿區(qū),包括:采用第一張光罩在所述光阻層上經(jīng)過(guò)曝光顯影形成第一貫穿區(qū);其中,所述第一張光罩包括第一透光孔,所述第一透光孔對(duì)應(yīng)所述第一貫穿區(qū);
對(duì)所述功能層進(jìn)行第一次刻蝕,以在對(duì)應(yīng)所述第一貫穿區(qū)的所述功能層上形成第一過(guò)孔;
在所述光阻層上形成新一類的貫穿區(qū);其中,所述在所述光阻層上形成新一類的貫穿區(qū),包括:采用第二張光罩在所述光阻層上經(jīng)過(guò)曝光顯影形成第二貫穿區(qū),并增加所述第一貫穿區(qū)的寬度;其中,所述第二張光罩包括第二透光孔和第三透光孔,所述第二透光孔對(duì)應(yīng)所述第一貫穿區(qū),所述第三透光孔對(duì)應(yīng)所述第二貫穿區(qū),所述第二透光孔和所述第三透光孔的寬度依次遞減,所述第二透光孔的寬度大于所述第一透光孔;
對(duì)所述功能層進(jìn)行第二次刻蝕,以在對(duì)應(yīng)所述第二貫穿區(qū)的所述功能層上形成第二過(guò)孔,并使所述第一過(guò)孔的寬度和深度增大;
采用第三張光罩在所述光阻層上經(jīng)過(guò)曝光顯影形成第三貫穿區(qū),并增加所述第一貫穿區(qū)和所述第二貫穿區(qū)的寬度;其中,所述第三張光罩包括第四透光孔、第五透光孔和第六透光孔,所述第四透光孔對(duì)應(yīng)所述第一貫穿區(qū),所述第五透光孔對(duì)應(yīng)所述第二貫穿區(qū),所述第六透光孔對(duì)應(yīng)所述第三貫穿區(qū),所述第四透光孔、所述第五透光孔和所述第六透光孔的寬度依次遞減,所述第四透光孔的寬度大于所述第二透光孔,所述第五透光孔的寬度大于所述第三透光孔;
對(duì)所述功能層進(jìn)行第三次刻蝕,以在對(duì)應(yīng)所述第三貫穿區(qū)的所述功能層上形成第三過(guò)孔,并使所述第一過(guò)孔以及所述第二過(guò)孔的寬度和深度增大,以形成寬度和深度不同的三個(gè)過(guò)孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,
所述功能層為顯示裝置中的陣列基板中的絕緣層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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