[發(fā)明專利]一種氧化物原位包覆二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711027516.5 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN107814589B | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柳彥博;馬壯;郭嘉儀;孫世杰;王皓;張賀;王乙瑾 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87;C04B35/58;C04B35/628;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京理工大學(xué)專利中心 11120 | 代理人： | 楊志兵;仇蕾安 |
| 地址： | 100081 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 氧化物 原位 包覆二硼化鋯 碳化硅 團(tuán)聚 方法 | ||
1.一種氧化物原位包覆二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體的方法，其特征在于：所述方法步驟如下，
步驟1.將二硼化鋯、碳化硅、聚乙烯醇以及無水乙醇混合均勻，得到懸濁液；其中，二硼化鋯與碳化硅的質(zhì)量比為3～5:1；
步驟2.將懸濁液轉(zhuǎn)移至噴霧干燥造粒塔中進(jìn)行團(tuán)聚造粒，將造粒后的粉體進(jìn)行烘干處理并經(jīng)過檢驗(yàn)篩，得到粒徑為20μm～90μm的二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體；
步驟3.將二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體送入大氣等離子球化設(shè)備中進(jìn)行球化處理，將球化后的粉體進(jìn)行烘干處理并經(jīng)過檢驗(yàn)篩，得到粒徑為10μm～60μm的球化二硼化鋯-碳化硅粉體；
步驟4.將球化二硼化鋯-碳化硅粉體置于通氧氣的管式爐中，管式爐中氧氣的流量為50mL/min～150mL/min，在800℃～1000℃下保溫1h～3h，得到具有核殼結(jié)構(gòu)的氧化物包覆二硼化鋯-碳化硅粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物原位包覆二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體的方法，其特征在于：步驟1所述的懸濁液中，聚乙烯醇的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為0.24％～0.55％，二硼化鋯和碳化硅的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)之和為35％～60％。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物原位包覆二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體的方法，其特征在于：步驟1中采用球磨方式進(jìn)行混合，在100r/min～400r/min下球磨2h～6h，球料比為3～5:1，使各成分混合均勻，得到懸濁液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物原位包覆二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體的方法，其特征在于：步驟2中噴霧干燥造粒參數(shù)為：進(jìn)口溫度210℃～350℃，出口溫度100℃～130℃，噴頭轉(zhuǎn)速25Hz～45Hz，蠕動泵轉(zhuǎn)速35rpm～50rpm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氧化物原位包覆二硼化鋯-碳化硅團(tuán)聚粉體的方法，其特征在于：步驟3中大氣等離子球化處理參數(shù)為：主氣流量85SCFH～95SCFH，輔氣流量50SCFH～60SCFH，載氣流量10SCFH～15SCFH，電流900A～1000A,送粉率1.5RPM～2.5RPM，噴槍距離為45mm～55mm，主氣和載氣為氬氣，輔氣為氦氣。
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