[發明專利]一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置

在審

• 申請號: 201711026357.7
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107664891A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 辛利文;張偉;郝延順;方業周;王廣帥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 郭潤湘

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的飛速發展，顯示面板越來越向著高集成度和低成本的方向發展。其中，陣列基板行驅動(Gate Driver on Array，GOA)技術將薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)柵極驅動電路集成在顯示面板的陣列基板上以形成對顯示面板的掃描驅動，從而可以省去柵極集成電路(Integrated Circuit，IC)的綁定(Bonding)區域以及扇出(Fan-out)區域的布線空間。

顯示面板在制造和使用過程中容易產生靜電，使得柵極驅動電路中的薄膜晶體管容易受到靜電的影響而損壞，從而導致柵極驅動電路出現工作異常的問題。目前，為了防護靜電對柵極驅動電路的影響，一般在陣列基板中設置由開關薄膜晶體管構成的靜電釋放(Electro-Static discharge，靜電釋放)保護電路來進行靜電防護。然而，該ESD保護電路需要在陣列基板完成所有制備過程形成顯示面板后才能發揮其靜電防護的作用，而無法在陣列基板制備中對薄膜晶體管起靜電防護作用，從而導致在陣列基板制備過程中，無法解決由于生產設備產生的靜電對薄膜晶體管的損傷問題。

發明內容

本發明實施例提供一種陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置，用以解決現有技術中在陣列基板制程中，無法解決由于生產設備產生的靜電對薄膜晶體管的損傷問題。

因此，本發明實施例提供了一種陣列基板，包括：襯底基板、以及位于所述襯底基板上用于驅動的驅動控制電路；其中，所述驅動控制電路包括多個薄膜晶體管；所述陣列基板還包括：接地的靜電屏蔽層；

所述靜電屏蔽層位于所述襯底基板與所述驅動控制電路之間，且所述靜電屏蔽層在所述襯底基板的正投影至少覆蓋所述驅動控制電路中的薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板的正投影。

可選地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述陣列基板還包括：黑矩陣；所述靜電屏蔽層與所述黑矩陣同材質且同層設置。

可選地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述靜電屏蔽層為鏤空結構，且所述靜電屏蔽層在所述襯底基板的正投影覆蓋所述驅動控制電路中的各薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板的正投影；或者，

所述靜電屏蔽層為一整層結構。

可選地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述靜電屏蔽層為鏤空結構時，所述陣列基板還包括：與所述薄膜晶體管的源漏極層同材質且同層設置的接地線，以及與所述靜電屏蔽層同層同材質且電連接設置的靜電連接總線；

所述接地線通過多個第一過孔與所述靜電連接總線電連接。

可選地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述靜電屏蔽層為一整層結構時，所述陣列基板還包括：與所述薄膜晶體管的源漏極層同材質且同層設置的接地線；

所述接地線通過多個第二過孔與所述靜電屏蔽層電連接。

可選地，在本發明實施例提供的上述陣列基板中，所述驅動控制電路為柵極驅動電路；和/或，

所述驅動控制電路為發光驅動電路。

相應地，本發明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發明實施例提供的上述任一種陣列基板。

相應地，本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述顯示面板。

相應地，本發明實施例還提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

采用一次構圖工藝在襯底基板上形成靜電屏蔽層的圖形；

采用構圖工藝在形成有所述靜電屏蔽層的圖形的襯底基板上形成驅動控制電路中的薄膜晶體管的圖形；其中，所述靜電屏蔽層接地，且所述靜電屏蔽層在所述襯底基板的正投影至少覆蓋所述驅動控制電路中的薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板的正投影。

可選地，在本發明實施例提供的上述制備方法中，所述采用一次構圖工藝在襯底基板上形成靜電屏蔽層的圖形的同時，還包括形成黑矩陣的圖形。

本發明有益效果如下：

本發明實施例提供的陣列基板、其制備方法、顯示面板及顯示裝置，通過在襯底基板與驅動控制電路之間設置接地的靜電屏蔽層，并且該靜電屏蔽層在襯底基板的正投影至少覆蓋驅動控制電路中的薄膜晶體管的有源層在襯底基板的正投影，從而可以在襯底基板上制備驅動控制電路中的薄膜晶體管以及制備其余膜層時，對薄膜晶體管的有源層起到靜電屏蔽防護作用，以避免陣列基板制備過程中外界的生產設備產生的靜電對薄膜晶體管的損傷問題。

附圖說明