[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711024746.6
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN107768345A
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王永剛
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/552;H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 歐陽帆

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體來說，涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

在一些半導(dǎo)體裝置中，通常存在很長的信號線，而長信號線附近的其它信號線和/或電源線會對其造成較大干擾，從而可能影響半導(dǎo)體裝置的操作或性能。

因此存在對于新的技術(shù)的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一個目的是提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別地，涉及減少或避免信號線附近的干擾。

根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置，其包括：襯底；在襯底上方的第一金屬屏蔽件；在第一金屬屏蔽件上方的信號線；和在信號線上方的第二金屬屏蔽件，其中在與襯底主平面平行的平面視圖中，第一金屬屏蔽件和第二金屬屏蔽件均與整個信號線重疊。

根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包括：在襯底上方形成第一金屬屏蔽件；在第一金屬屏蔽件上方形成信號線；在信號線上方形成第二金屬屏蔽件，其中第一金屬屏蔽件和第二金屬屏蔽件被形成為在與襯底主平面平行的平面視圖中均與整個信號線重疊。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得更為清楚。

附圖說明

構(gòu)成說明書的一部分的附圖描述了本公開的實施例，并且連同說明書一起用于解釋本公開的原理。

參照附圖，根據(jù)下面的詳細(xì)描述，可以更加清楚地理解本公開，其中：

圖1A示出了根據(jù)本公開一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖1B示出了其沿圖1A中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖1C示出了作為背照式圖像傳感器的半導(dǎo)體裝置沿圖1A中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖2A-2C分別示出了根據(jù)本公開一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖2D示出了圖2A-2C中的半導(dǎo)體裝置分別沿圖中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖3A-3C分別示出了根據(jù)本公開另一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖3D示出了圖3A-3C中的半導(dǎo)體裝置分別沿圖中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖4A示出了根據(jù)本公開又一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖4C示出了其沿圖4A中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖4B示出了根據(jù)本公開又一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖4D示出了其沿圖4B中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖5A-5C分別示出了根據(jù)本公開又一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖5D示出了圖5A-5C中的半導(dǎo)體裝置分別沿圖中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖6A-6C分別示出了根據(jù)本公開又一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖6D示出了圖6A-6C中的半導(dǎo)體裝置分別沿圖中的剖面線AA獲得的剖面圖。

圖7示出了根據(jù)本公開一個示例性實施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。

圖8A-8C分別示出了在根據(jù)本公開一個示例性實施例來制造半導(dǎo)體裝置的一個方法示例的各個步驟處的裝置剖面示意圖。

圖9A-9C分別示出了在根據(jù)本公開又一個示例性替代實施例來制造半導(dǎo)體裝置的一個方法示例的各個步驟處的裝置剖面示意圖。

注意，在以下說明的實施方式中，有時在不同的附圖之間共同使用同一附圖標(biāo)記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說明。在本說明書中，使用相似的標(biāo)號和字母表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

為了便于理解，在附圖等中所示的各結(jié)構(gòu)的位置、尺寸及范圍等有時不表示實際的位置、尺寸及范圍等。因此，所公開的發(fā)明并不限于附圖等所公開的位置、尺寸及范圍等。

具體實施方式

下面將參照附圖來詳細(xì)描述本公開的各種示例性實施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本公開的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本公開及其應(yīng)用或使用的任何限制。也就是說，本文中的半導(dǎo)體裝置及其制造方法是以示例性的方式示出，來說明本公開中的結(jié)構(gòu)和方法的不同實施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，它們僅僅說明可以用來實施的本發(fā)明的示例性方式，而不是窮盡的方式。此外，附圖不必按比例繪制，一些特征可能被放大以示出具體組件的細(xì)節(jié)。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為授權(quán)說明書的一部分。