[發(fā)明專利]頂柵型薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711022384.7
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107833924B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 班圣光;曹占鋒;姚琪
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/34
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;王衛(wèi)忠

本公開提供一種頂柵型薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該頂柵型薄膜晶體管的制備方法包括：在形成有半導(dǎo)體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板上制備第二柵絕緣層，并在所述第二柵絕緣層上方形成一刻蝕保護層；將形成有所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行氧化處理和氫氟酸清洗，以在所述氫氟酸清洗的過程中去除所述刻蝕保護層；在經(jīng)過所述氫氟酸清洗之后的基板上制備第二柵極。本公開可改善氫氟酸清洗柵絕緣層而造成的表面損傷，從而保證薄膜晶體管的電學(xué)性能以及后續(xù)工藝的穩(wěn)定性。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種頂柵型薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的高速發(fā)展，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)背板技術(shù)以其高遷移率、高開口率、可實現(xiàn)GOA(Gate Driver on Array，陣列基板行驅(qū)動)等優(yōu)勢，使得基于LTPS技術(shù)的顯示面板相比于基于a-Si(非晶硅)技術(shù)的顯示面板具有更佳的顯示效果，因此受到了越來越為廣泛的重視。

如今人們對于顯示器的分辨率要求越來越高，高PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素數(shù)量)顯示器對于現(xiàn)有的LTPS工藝是很大的挑戰(zhàn)。在LTPS工藝中會有柵絕緣層刻蝕的工藝步驟，該步驟需要對柵絕緣層進行氫氟酸(HF)清洗，但清洗過程中不可避免的會對柵絕緣層產(chǎn)生一定的影響，例如會造成柵絕緣層的減薄、甚至在爬坡處造成短路風(fēng)險等，從而影響后續(xù)工藝的穩(wěn)定性以及TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的電學(xué)特性。

需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一種頂柵型薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板，進而至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺陷而導(dǎo)致的一個或者多個問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點將通過下面的詳細描述變得顯然，或部分地通過本公開的實踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開的一個方面，提供一種頂柵型薄膜晶體管的制備方法，包括：

在形成有半導(dǎo)體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板上制備第二柵絕緣層，并在所述第二柵絕緣層上方形成一刻蝕保護層；

將形成有所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行氧化處理和氫氟酸清洗，以在所述氫氟酸清洗的過程中去除所述刻蝕保護層；

在經(jīng)過所述氫氟酸清洗之后的基板上制備第二柵極。

本公開的一種示例性實施例中，在所述第二柵絕緣層上方形成一刻蝕保護層包括：

在所述第二柵絕緣層上方形成一層非晶硅薄膜。

本公開的一種示例性實施例中，將形成有所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行氧化處理包括：

將形成有所述第二柵絕緣層和所述非晶硅薄膜的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行臭氧氧化處理，以使所述非晶硅薄膜轉(zhuǎn)換為氧化硅薄膜。

本公開的一種示例性實施例中，在所述第二柵絕緣層上方形成一刻蝕保護層包括：

在所述第二柵絕緣層上方形成一層氧化硅薄膜。

本公開的一種示例性實施例中，所述刻蝕保護層的厚度為

本公開的一種示例性實施例中，所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層在同一薄膜沉積設(shè)備中進行制備。