[發明專利]頂柵型薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 201711022384.7
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107833924B
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 班圣光;曹占鋒;姚琪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/34
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;王衛忠

1.一種頂柵型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在形成有半導體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板上制備第二柵絕緣層，并在所述第二柵絕緣層上方形成一刻蝕保護層，所述刻蝕保護層直接接觸所述第二柵絕緣層，且至少覆蓋第二柵絕緣層的全部頂面和全部爬坡處；

將形成有所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行氧化處理和氫氟酸清洗，以在所述氫氟酸清洗的過程中去除所述刻蝕保護層；

在經過所述氫氟酸清洗之后的基板上制備第二柵極；其中，

在所述第二柵絕緣層上方形成一刻蝕保護層包括：

在所述第二柵絕緣層上方形成一層非晶硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，將形成有所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行氧化處理包括：

將形成有所述第二柵絕緣層和所述非晶硅薄膜的基板置于氫氟酸清洗裝置中進行臭氧氧化處理，以使所述非晶硅薄膜轉換為氧化硅薄膜。

3.根據權利要求1-2任一項所述的制備方法，其特征在于，所述刻蝕保護層的厚度為

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二柵絕緣層和所述刻蝕保護層在同一薄膜沉積設備中進行制備。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，在形成有半導體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板上制備第二柵絕緣層包括：

在形成有半導體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板上形成氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、以及氮氧化硅薄膜中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成有半導體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板包括：

襯底基板；

形成于所述襯底基板上方的源極和漏極；

形成于所述源極和所述漏極上方的半導體有源層；

形成于所述半導體有源層上方的第一柵絕緣層；以及，

形成于所述第一柵絕緣層上方的第一柵極。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述形成有半導體有源層、源極和漏極、第一柵絕緣層、以及第一柵極的基板還包括：

形成于所述襯底基板面向所述半導體有源層一側的緩沖層。