[發明專利]制造存儲器件的方法

有效

• 申請號: 201711021196.2
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN108010882B
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 李基碩;金大益;金根楠;金奉秀;樸濟民;尹燦植;黃有商
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

提供了制造存儲器件的方法。該方法可以包括形成掩模圖案，該掩模圖案包括彼此平行并在基板的第一區域上延伸的多個線形部分。掩模圖案可以在基板的第二區域上延伸。該方法還可以包括利用掩模圖案作為掩模在第一區域中形成多個字線區域、分別在該多個字線區域中形成多條字線、以及從第二區域去除掩模圖案以暴露第二區域。在從第二區域去除掩模圖案之后掩模圖案可以保留在第一區域上。該方法還可以包括在第二區域上形成溝道外延層，同時利用掩模圖案作為溝道外延層在第一區域上生長的阻擋物。

技術領域

本發明構思涉及制造半導體存儲器件的方法。

背景技術

半導體器件由于它們的小尺寸、多功能和/或低制造成本而被認為是電子產業中的重要因素。隨著電子產業的顯著發展，半導體器件正在被高度集成。為了半導體器件的高度集成，半導體器件的圖案的線寬度正在減小。然而，新的曝光技術和/或昂貴的曝光技術可以用于形成精細圖案，使得高度集成半導體器件會是困難的。因此，近來對于新的集成技術已經進行了各種研究。

此外，在單元陣列區域之外的外圍電路區域上的晶體管的性能對于半導體存儲器件的總體性能也會是重要的。為此已經進行各種研究。

發明內容

本發明構思的實施方式提供制造半導體存儲器件的方法，該方法能夠制造具有優異的性能的半導體存儲器件。

根據本發明構思的示例實施方式，一種制造半導體存儲器件的方法可以包括：提供包括第一區域和第二區域的基板；以及形成掩模圖案，該掩模圖案包括彼此平行并在基板的第一區域上在第一方向上延伸的多個線形部分。掩模圖案可以在基板的第二區域上延伸。該方法還可以包括利用掩模圖案作為掩模在基板的第一區域中形成多個字線區域、分別在該多個字線區域中形成多條字線、以及從基板的第二區域去除掩模圖案以暴露基板的第二區域。在從基板的第二區域去除掩模圖案之后，掩模圖案可以保留在基板的第一區域上。該方法還可以包括在基板的第二區域上形成溝道外延層，同時利用該掩模圖案作為溝道外延層在基板的第一區域上生長的阻擋物。

根據本發明構思的示例實施方式，一種制造半導體存儲器件的方法可以包括：提供包括單元陣列區域和PMOS區域的基板；以及形成掩模圖案，該掩模圖案包括彼此平行并在單元陣列區域上在第一方向上延伸的多個線形部分。掩模圖案可以在PMOS區域上延伸。該方法還可以包括通過利用掩模圖案作為蝕刻掩模蝕刻基板而在單元陣列區域上形成彼此平行的多個凹槽、分別在該多個凹槽中順序地形成柵電介質層、字線和覆蓋圖案、以及從PMOS區域去除掩模圖案以暴露PMOS區域。在從PMOS區域去除掩模圖案之后掩模圖案可以保留在單元陣列區域上。該方法還可以包括在PMOS區域上選擇性地形成硅鍺(SiGe)層同時利用該掩模圖案作為硅鍺層在單元陣列區域上生長的阻擋物。

根據本發明構思的示例實施方式，一種形成存儲器件的方法可以包括在包括第一區域和第二區域的基板上形成掩模層。掩模層可以包括暴露第一區域的第一開口并在第二區域上延伸。該方法還可以包括：利用掩模層作為蝕刻掩模蝕刻基板以在基板的第一區域中形成凹陷；在凹陷中形成字線；在形成字線之后從基板的第二區域去除掩模層以暴露基板的第二區域；在基板的暴露的第二區域上形成外延層；在外延層上順序地形成絕緣層和導電層；以及圖案化導電層以在外延層上形成晶體管的柵電極。外延層可以用作該晶體管的溝道區。

附圖說明

圖1是示出根據本發明構思的示例實施方式的半導體存儲器件的平面圖。

圖2、圖3、圖4、圖5、圖6A、圖6B、圖7、圖8、圖9和圖10是沿圖1的線A-A'、B-B'和C-C'截取的截面圖，示出根據本發明構思的示例實施方式的制造半導體存儲器件的方法。

具體實施方式

本發明構思的示例實施方式連同附圖將在下面詳細地描述。如這里所用的，術語“和/或”包括一個或多個相關所列項目的任何及所有組合。